[发明专利]光检测元件有效
申请号: | 201380068374.0 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN104956496A | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 崔石镐;金成;金昌伍 | 申请(专利权)人: | 庆熙大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 元件 | ||
1.一种光检测元件,包括:
基板;
光检测层,其作为形成在所述基板上的光检测层,包括p-n垂直均质接合的石墨烯,具有在350nm至1100nm范围内超过10E11(Jones)的检测能;和
形成在所述光检测层上的第一电极和第二电极。
2.如权利要求1所述的光检测元件,其中,所述光检测层包括依次叠层的第一石墨烯和第二石墨烯,所述第一石墨烯是n型石墨烯,第二石墨烯是p型石墨烯。
3.如权利要求2所述的光检测元件,其中,所述第一石墨烯和所述第二石墨烯分别是单层的石墨烯。
4.如权利要求2所述的光检测元件,其中,所述第一石墨烯和所述第二石墨烯接触形成。
5.如权利要求4所述的光检测元件,其中,所述第一石墨烯,包括形成在所述第一石墨烯和所述第二石墨烯的边界面处的高电阻层。
6.如权利要求2所述的光检测元件,其中,所述光检测层,进一步包括形成在所述第一石墨烯和第二石墨烯之间的插入层。
7.如权利要求6所述的光检测元件,其中,所述插入层包括半导体层和绝缘层中的一个。
8.如权利要求1所述的光检测元件,其中,被施加至所述第一电极和所述第二电极上的电压在2(V)至5(V)之间,所述光检测层具有在350nm至1100nm范围内超过10E11(Jones)的检测能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的