[发明专利]由活性硅烷对芳族的C-O键、C-N键和C-S键的无过渡金属还原裂解

权利要求书

1.一种用于还原C-O键、C-N键和C-S键的化学体系，所述体系包含(a)至少一种有机硅烷和(b)至少一种强碱的混合物，所述体系大体上无过渡金属化合物，并且所述体系任选地包含至少一种分子氢给体化合物、分子氢或二者。

2.如权利要求1所述的体系，还包含至少一种分子氢给体化合物、氢或二者。

3.如权利要求1所述的体系，所述体系能够使C-O键、C-N键或C-S键还原裂解。

4.如权利要求3所述的体系，所述体系能够使芳族的C-O键、C-N键或C-S键还原裂解。

5.如权利要求1所述的体系，其中所述C-O键、C-N键或C-S键对于芳环部分是环外的。

6.如权利要求1所述的体系，其中所述C-O键、C-N键或C-S键对于芳环部分是内环的。

7.如权利要求1所述的体系，所述体系能够使脂肪族的C-O键、C-N键或C-S键还原裂解。

8.如权利要求1所述的体系，所述体系大体上无水、氧气、或水和氧气二者。

9.如权利要求1所述的体系，其中至少一种有机硅烷包含式(I)或式(II)的有机硅烷：

(R)_4-mSi(H)_m   (I)R—[—SiH(R)-O—]_n—R  (II)

其中：m是1、2或3；

n是10至100；并且

R独立地是任选地取代的C_1-12烷基或杂烷基、C_5-20芳基或杂芳基、C_6-30烷芳基或杂烷芳基、C_6-30芳烷基或杂芳烷基、-O-C_1-12烷基或杂烷基、-O-C_5-20芳基或杂芳基、-O-C_6-30烷芳基或杂烷芳基、-O-C_6-30芳烷基或杂芳烷基，并且，如果被取代，那么取代基可以是膦酸根、磷酰基、氧膦基、膦基、磺酸根、C₁-C₂₀烷基硫烷基、C₅-C₂₀芳基硫烷基、C₁-C₂₀烷基磺酰基、C₅-C₂₀芳基磺酰基、C₁-C₂₀烷基亚磺酰基、C₅-C₂₀芳基亚磺酰基、磺酰氨基、氨基、酰氨基、亚氨基、硝基、亚硝基、羟基、C₁-C₂₀烷氧基、C₅-C₂₀芳氧基、C₂-C₂₀烷氧基羰基、C₅-C₂₀芳氧基羰基、羧基、羧酸根、巯基、甲酰基、C₁-C₂₀硫酯、氰基、氰酸根、硫代氰酸根、异氰酸酯、硫代异氰酸酯、氨基甲酰基、环氧基、苯乙烯基、甲硅烷基、甲硅氧基、硅烷基、硅氧烷氮烷基、硼酸根、硼基、或卤素、或含金属的基团或含准金属的基团，其中所述准金属是Sn或Ge，其中所述取代基可以任选地向包括氧化铝、二氧化硅或碳的不可溶的或微溶的支持介质提供链接。

10.如权利要求9所述的体系，其中所述有机硅烷是(R)₃SiH，其中R是C_1-6烷基。

11.如权利要求1所述的体系，其中所述至少一种强碱包括碱金属或碱性金属的氢化物或醇盐。

12.如权利要求11所述的体系，其中所述至少一种强碱包括碱金属或碱性金属的氢化物。

13.如权利要求12所述的体系，其中所述至少一种强碱包括氢化钙或氢化钾。

14.如权利要求11所述的体系，其中所述至少一种强碱包括碱金属或碱性金属的醇盐。

15.如权利要求14所述的体系，其中所述至少一种醇盐包含C_1-12直链的或支链的烷基部分或C_5-10芳族或杂芳族的部分。