[发明专利]用于具有可变等待时间的存储器操作的设备及方法

说明书

本发明描述用于执行存储器操作的设备及方法。一种实例性设备包含存储器操作控制器。所述存储器操作控制器经配置以接收存储器指令并解码所述存储器指令以提供用于执行所述存储器指令的存储器操作的内部信号。所述存储器操作控制器进一步经配置以在存储器指令的可变等待时间周期期间提供指示所述可变等待时间周期的时间的信息。在一种实例性方法中，在存储器处接收写入指令及写入数据将被写入到的地址，且提供指示所述写入指令的可变等待时间周期的结束的确认。在所述确认之后等待可变总线周转后，接收用于所述写入指令的写入数据。

相关申请案的交叉参考

本申请案主张对2012年10月26提出申请的第61/719,321号美国临时专利申请案的优先权。此申请案以全文引用方式且出于所有目的并入本文中。

技术领域

本发明的实施例大体来说涉及存储器，且包含可与具有相变存储器的存储器一起使用的具有可变等待时间的写入及读取操作的实例。

背景技术

存储器装置可提供于例如计算机或其它电子装置等设备中，所述其它电子装置包含但不限于便携式存储器装置、固态驱动器、个人数字助理、音乐播放器、相机、电话、无线装置、显示器、芯片集、机顶盒、游戏系统、车辆及电器。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、快闪存储器及电阻可变存储器以及其它。

例如电阻可变存储器装置等设备可用作用于宽广范围的电子装置的非易失性存储器。举例来说，电阻可变存储器装置可包含相变存储器(PCM)或电阻性存储器(RR)以及其它存储器。PCM装置的物理布局可类似于DRAM装置的物理布局，其中DRAM单元的电容器由相变材料(例如，碲化锗锑(GST)或其它硫属化物)替换。也就是说，例如二极管或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等存取装置可与相变材料串联连接。硫属化物材料可包含硫化物、硒化物或碲化物以及其它材料的复合物。GST已用于可重写光盘中，例如可重写紧致磁盘(CD-RW)及可重写数字多功能盘(DVD-RW)。

与非易失性存储器一样，PCM可经写入以从第一状态(例如，逻辑“0”)改变为第二状态(例如，逻辑“1”)。PCM还可经写入以从第二状态改变为第一状态。对PCM的常规读取操作也类似于RAM。如此，PCM可用于随机存取存储器中。然而，关于PCM的写入操作比常规RAM的写入操作相对慢。也就是说，可能需要时间来管理及完成写入操作，例如准备待写入到存储器的数据，在出现读取存取请求的情况下暂停写入操作以及监视写入操作的进展。读取操作可比对常规RAM的读取操作慢，且无法对在同时写入操作中所涉及的存储器位置执行读取操作。

由于使用PCM作为RAM替换品的局限性，存储器系统中的PCM的操作在数个方面受到限制。举例来说，可能不能在任何时间对任何存储器位置执行写入及读取操作。可定期地对用于监视写入操作的进展的状态寄存器进行轮询以在开始新的写入操作之前确定写入操作完成。另外，在一些应用中，为进行读取操作，有必要将写入操作暂停，且在所述读取操作完成后即刻恢复所述写入操作。

发明内容

本发明描述用于执行存储器操作的设备及方法。一种实例性设备包含存储器操作控制器。所述存储器操作控制器经配置以接收存储器指令并解码所述存储器指令以提供用于执行所述存储器指令的存储器操作的内部信号。所述存储器操作控制器进一步经配置以在存储器指令的可变等待时间周期期间提供指示所述可变等待时间周期的时间的信息。

另一实例性设备包含耦合到存储器控制器的存储器。所述存储器经配置以从所述存储器控制器接收写入指令并响应于所述写入指令而执行存储器操作。所述存储器进一步经配置以提供指示所述写入指令的可变等待时间周期的结束的确认且在所述确认之后在接收写入数据之前等待可变总线周转时间。

在一种实例性方法中，将存储器指令及地址提供到存储器，且接收指示所述存储器指令的可变等待时间周期的剩余时间的信息。