[发明专利]具索引的串联基板处理工具

说明书

技术领域

本发明的实施方式大体涉及半导体处理装备。

背景技术

传统的基板处理系统往往使用单个处理腔室来执行工艺的多个步骤。举例而言，单个处理腔室可用于快速加热、沉积材料和随后冷却基板。然而，本发明者已经观察到，执行上述任务所需的连续加热、冷却和供应不同的工艺资源导致系统为低能效的且因此操作成本高昂。

因此，本发明者已提供了可解决上述一些或所有问题的具索引的串联(inline)基板处理工具的实施方式。

发明内容

本文提供一种具索引的串联基板处理工具及其方法或使用。在一些实施方式中，具索引的串联基板处理工具可包括：具有基底和一对相对的基板支撑件的基板载体，所述相对的基板支撑件具有从基底向上和向外延伸的各自的基板支撑表面；和以线性布置耦接至彼此的多个模块，其中多个模块的每一模块包括具有第一端、第二端和下表面的壳体，所述下表面用来支撑基板载体并且为基板载体提供从多个模块的第一模块线性地移动穿过多个模块，穿过任何介于中间的模块，到达多个模块的最后模块的路径，并且其中多个模块的至少一个模块包括：设置在壳体的侧面中以允许将辐射热提供到壳体中的窗口；耦接至壳体的侧面以通过窗口将辐射热提供到壳体中的加热灯；贴近壳体的顶部设置以将处理气体提供至壳体中的进气口；和与进气口相对设置以从壳体移除处理气体的排气装置。

在一些实施方式中，提供一种用具索引的串联外延沉积工具将材料沉积在基板上的方法，具索引的串联外延沉积工具包括以线性布置耦接至彼此的多个模块，其中多个模块的每一模块包括具有第一端、第二端和下表面的壳体，所述下表面用来支撑基板载体并且为基板载体提供从多个模块的第一模块线性地移动穿过多个模块，穿过任何介于中间的模块，到达多个模块的最后模块的路径，并且其中多个模块的至少一个模块包括：设置在壳体的侧面中以允许将辐射热提供到壳体中的窗口，耦接至壳体的侧面以通过窗口将辐射热提供到壳体中的加热灯，贴近壳体的顶部设置以将处理气体提供至壳体中的进气口，和与进气口相对设置以从壳体移除处理气体的排气装置，所述方法可包括以下步骤：为多个模块的第一模块提供基板载体，所述基板载体具有设置在基板载体中的第一组基板；在第一组基板上执行外延沉积工艺的第一步骤；为第一模块提供具有设置在第二基板载体中的第二组基板的第二基板载体，其中第二基板载体将第一基板载体推至多个模块的第二模块；和在第一模块中的第二组基板上执行外延沉积工艺的第一步骤，同时在第二模块中的第一组基板上执行外延沉积工艺的第二步骤。

下文描述本发明的其他和进一步实施方式。

附图说明

可通过参照附图中描绘的本发明的说明性实施方式理解上文简要概述且下文更详细地论述的本发明的实施方式。然而应注意的是，附图仅图示本发明的典型实施方式且因此不被视为限制本发明的范围，因为本发明可许可其他等效实施方式。

图1描绘根据本发明的一些实施方式的具索引的串联基板处理工具。

图2是根据本发明的一些实施方式的具索引的串联基板处理工具的模块的截面图。

图3是根据本发明的一些实施方式的具索引的串联基板处理工具的模块。

图4是根据本发明的一些实施方式的具索引的串联基板处理工具的进气口。

图5是根据本发明的一些实施方式用在具索引的串联基板处理工具中的基板载体。

为了便于理解，已尽可能地使用相同的参考数字指示各图所共有的相同元件。未按比例绘制各图，且为了清晰可简化各图。预期一个实施方式的元件和特征结构可有利地并入其他实施方式而无需进一步详述。

具体实施方式

本文提供具索引的串联基板处理工具及其使用方法的实施方式。与用于执行多步骤基板工艺的传统基板处理工具相比，该具创新性的具索引的串联基板处理工具有利地提供成本有效且简单的可制造性和具有能源及成本效率的使用。尽管在范围方面不进行限制，但是本发明者相信本发明的具索引的串联基板处理工具可能对处理较大尺寸的基板(例如，诸如450mm和更大的半导体基板)、玻璃面板基板或类似者尤其有利。

图1是根据本发明的一些实施方式的具索引的串联基板处理工具100。具索引的串联基板处理工具100通常可被配置成针对所需半导体应用在基板上执行任何工艺。举例而言，在一些实施方式中，具索引的串联基板处理工具100可被配置成执行一个或更多个沉积工艺，例如外延沉积工艺。