[发明专利]光电转换元件以及光电转换元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及光电转换元件以及光电转换元件的制造方法。

背景技术

近年，尤其从地球环境问题的观点出发，将太阳光能直接转换为电能的太阳电池作为下一代能源的期待急剧提高。在太阳电池中，有使用了化合物半导体或者有机材料的太阳电池等各种种类的太阳电池，但当前成为主流的是使用了硅晶的太阳电池。

现在，制造以及销售最多的太阳电池是在太阳光入射的侧的面即受光面和受光面的相反侧即背面分别形成了电极的结构的太阳电池。

但是，在受光面形成了电极的情况下，由于存在电极中的太阳光的反射以及吸收，所以入射的太阳光的量减少相应于电极的面积的量。因此，正在推进如下的太阳电池元件(异质结型背接触电池)的开发(例如，参照专利文献1)：在n型的单晶硅基板的背面上，形成i型的非晶硅膜和p型的非晶硅膜的层叠体、和i型的非晶硅膜和n型的非晶硅膜的层叠体，并在这些层叠体的p型的非晶硅膜上以及n型的非晶硅膜上形成电极，从而提高了特性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2010-80887号公报

发明内容

发明要解决的课题

以下，参照图13～图29的示意性剖视图，说明异质结型背接触电池的制造方法的一例。首先，如图13所示，在由在受光面形成了纹理结构(未图示)的n型的单晶硅而成的c-Si(n)基板101的背面上，形成i型的非晶硅膜和p型的非晶硅膜按照这个顺序层叠的a-Si(i/p)层102。

接着，如图14所示，在c-Si(n)基板101的受光面上，形成i型的非晶硅膜和n型的非晶硅膜按照这个顺序层叠的a-Si(i/n)层103。

接着，如图15所示，在a-Si(i/p)层102的一部分的背面上形成光刻胶膜104。这里，通过在a-Si(i/p)层102的背面的整个面涂布了光刻胶之后，通过曝光技术以及显影技术而对光刻胶进行图案形成，从而形成光刻胶膜104。

接着，如图16所示，以光刻胶膜104作为掩模，对a-Si(i/p)层102的一部分进行蚀刻，从而使c-Si(n)基板101的背面曝光。

接着，如图17所示，在去除了光刻胶膜104之后，如图18所示，以覆盖去除光刻胶膜104而曝光的a-Si(i/p)层102的背面以及通过蚀刻而曝光的c-Si(n)基板101的背面的方式，形成i型的非晶硅膜和n型的非晶硅膜按照这个顺序层叠的a-Si(i/n)层105。

接着，如图19所示，在a-Si(i/n)层105的一部分的背面上形成光刻胶膜106。这里，通过在a-Si(i/n)层105的背面的整个面涂布了光刻胶之后，通过曝光技术以及显影技术而对光刻胶进行图案形成，从而形成光刻胶膜106。

接着，如图20所示，以光刻胶膜106作为掩模，对a-Si(i/n)层105的一部分进行蚀刻，从而使a-Si(i/p)层102的背面曝光。

接着，如图21所示，在去除了光刻胶膜106之后，如图22所示，以覆盖去除光刻胶膜106而曝光的a-Si(i/n)层105的背面以及通过蚀刻而曝光的a-Si(i/p)层102的背面的方式，形成透明导电氧化膜107。

接着，如图23所示，在透明导电氧化膜107的一部分的背面上形成光刻胶膜108。这里，通过在透明导电氧化膜107的背面的整个面涂布了光刻胶之后，通过曝光技术以及显影技术而对光刻胶进行图案形成，从而形成光刻胶膜108。

接着，如图24所示，以光刻胶膜108作为掩模，对透明导电氧化膜107的一部分进行蚀刻，从而使a-Si(i/p)层102以及a-Si(i/n)层105的背面曝光。

接着，如图25所示，在去除了光刻胶膜108之后，如图26所示，以覆盖a-Si(i/p)层102以及a-Si(i/n)层105的曝光的背面以及透明导电氧化膜107的一部分的背面的方式，形成光刻胶膜109。这里，通过在a-Si(i/p)层102以及a-Si(i/n)层105的曝光的背面以及透明导电氧化膜107的背面的整个面涂布了光刻胶之后，通过曝光技术以及显影技术而对光刻胶进行图案形成，从而形成光刻胶膜109。

接着，如图27所示，在透明导电氧化膜107以及光刻胶膜109的背面的整个面形成背面电极层110。

接着，如图28所示，通过剥离(lift-off)而去除光刻胶膜109以及背面电极层110，使得只在透明导电氧化膜107的表面的一部分残留背面电极层110。