[发明专利]光电转换元件以及光电转换元件的制造方法

权利要求书

1.一种光电转换元件，包括：

第一导电型的半导体基板；

i型非单晶膜，设置在所述半导体基板的一个表面的整个面；

第一导电型非单晶膜，设置在所述i型非单晶膜的一部分的表面上；

第二导电型非单晶膜，设置在所述i型非单晶膜的其他的一部分的表面上；

第一导电型用电极，设置在所述第一导电型非单晶膜上；以及

第二导电型用电极，设置在所述第二导电型非单晶膜上，

所述半导体基板和所述i型非单晶膜的界面是平坦的。

2.如权利要求1所述的光电转换元件，

所述i型非单晶膜是i型非晶膜。

3.如权利要求1或2所述的光电转换元件，

所述半导体基板和所述i型非单晶膜的界面的近接区域中的最大高低差小于1μm。

4.如权利要求1至3的任一项所述的光电转换元件，

所述第一导电型非单晶膜和所述半导体基板之间的所述i型非单晶膜的膜厚与所述第二导电型非单晶膜和所述半导体基板之间的所述i型非单晶膜的膜厚不同。

5.如权利要求1至4的任一项所述的光电转换元件，

所述第一导电型非单晶膜和所述半导体基板之间的所述i型非单晶膜的膜厚比所述第二导电型非单晶膜和所述半导体基板之间的所述i型非单晶膜的膜厚薄。

6.一种光电转换元件的制造方法，包括如下工序：

在第一导电型的半导体基板的一个表面的整个面上，将i型非单晶膜进行层叠的工序；

在所述i型非单晶膜的表面上，将第二导电型非单晶膜进行层叠的工序；

在所述第二导电型非单晶膜的一部分的表面上设置掩模材料的工序；

以残留所述i型非单晶膜的至少一部分的方式，去除从所述掩模材料露出的所述第二导电型非单晶膜的工序；

在所述第二导电型非单晶膜的表面上以及所述i型非单晶膜的表面上形成第一导电型非单晶膜的工序；

以在所述i型非单晶膜的表面上残留所述第一导电型非单晶膜的一部分的方式，去除所述第二导电型非单晶膜的所述表面上的所述第一导电型非单晶膜的工序；以及

在所述第一导电型非单晶膜的表面上以及所述第二导电型非单晶膜的表面上形成电极层的工序。

7.如权利要求6所述的光电转换元件的制造方法，

去除所述第一导电型非单晶膜的工序通过使用碱溶液的湿蚀刻而进行。

8.如权利要求6或7所述的光电转换元件的制造方法，

将所述i型非单晶膜进行层叠的工序只进行一次。

9.如权利要求6至8的任一项所述的光电转换元件的制造方法，

所述i型非单晶膜是i型非晶膜。

10.如权利要求6至9的任一项所述的光电转换元件的制造方法，

在将所述i型非单晶膜进行层叠的工序中，所述i型非单晶膜形成在所述半导体基板的平坦的所述表面上。