[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1a)、式(1b)和式(1c)所示的重复结构单元中的任1种或2种以上，

式中，2个R¹各自独立地表示碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～6的烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R²各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～6的烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R³表示可以具有取代基的芳香族烃基，R⁴表示氢原子、苯基或萘基，与同一碳原子结合的R³和R⁴各自表示苯基时可以彼此结合而形成芴环，在式(1b)中2个R³所表示的基团和2个R⁴所表示的原子或基团可以彼此不同，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，n、n₁和n₂表示2～500的整数，p表示3～500的整数，X表示单键或杂原子，2个Q各自独立地表示下述式(2)所示的结构单元，

式中，2个R¹、2个R²、2个R³、2个R⁴、2个k、n₁、n₂和X与式(1b)中的含义相同，2个Q¹各自独立地表示上述式(2)所示的结构单元。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物为通过使至少1种的联苯酚化合物或二苯酚化合物与至少1种的芳香族醛或芳香族酮在酸催化剂的存在下进行聚合反应而合成的。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述R³所表示的芳香族烃基为苯基、萘基、蒽基或芘基。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步含有交联剂、酸性化合物、热产酸剂和表面活性剂中的至少1种。

5.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：通过将权利要求1～4的任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于具有高低差、凹部和/或凸部的表面，进行烘烤而形成第1抗蚀剂下层膜的工序；在所述第1抗蚀剂下层膜上形成有机聚硅氧烷膜作为第2抗蚀剂下层膜的工序；在所述第2抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂图案的工序；将所述抗蚀剂图案作为掩模对所述第2抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；将蚀刻后的所述第2抗蚀剂下层膜的图案作为掩模对所述第1抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；以及将蚀刻后的所述第1抗蚀剂下层膜的图案作为掩模对所述具有高低差、凹部和/或凸部的表面进行蚀刻的工序。