[发明专利]层叠陶瓷电容器及层叠陶瓷电容器的制造方法有效
申请号: | 201380040324.1 | 申请日: | 2013-05-20 |
公开(公告)号: | CN104508771B | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 山口晋一;铃木祥一郎;土井章孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G4/232 | 分类号: | H01G4/232;H01G4/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 张玉玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 陶瓷 电容器 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及层叠陶瓷电容器及层叠陶瓷电容器的制造方法。
背景技术
近年来,伴随着电子装置技术的发展,要求层叠陶瓷电容器小型化及大容量化。为了满足这些要求,而不断推进构成层叠陶瓷电容器的陶瓷电介质层的薄层化。然而,若使陶瓷电介质层薄层化,则施加至每一层的电场强度会相对提高。因此,要求提高施加电压时的耐久性、可靠性。
作为层叠陶瓷电容器,例如,已知具备层叠体与多个外部电极的层叠陶瓷电容器,该层叠体具有被层叠的多个陶瓷电介质层、及沿着陶瓷电介质层间的界面而形成的多个内部电极,该多个外部电极形成于层叠体的外表面且与内部电极电连接(参照专利文献1)。而且,在该专利文献1的层叠陶瓷电容器中,作为内部电极,公开了使用Ni作为主成分的内部电极。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平11-283867号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而,在具备使用Ni作为主成分的内部电极的上述专利文献1的层叠陶瓷电容器中,存在如下问题:为了应对近年来的小型化及大容量化的要求,施加高电压时的耐久性尚不充分。
本发明是为了解决上述问题而完成的,其目的在于提供一种即便在陶瓷电介质层进一步薄层化、且施加有高电场强度的电压的情况下,仍显示出优异的耐久性与良好的介电特性的陶瓷层叠电容器。
用于解决问题的手段
为了解决上述问题,本发明的层叠陶瓷电容器的特征在于,
所述层叠陶瓷电容器具备:陶瓷层叠体,其通过层叠多个陶瓷电介质层而成;多个内部电极,它们以隔着所述陶瓷电介质层而互相对置的方式配设于所述陶瓷层叠体的内部;及外部电极,其以与所述内部电极导通的方式配设于所述陶瓷层叠体的外表面,
所述内部电极含有Ni与Sn,并且,
所述内部电极的从与所述陶瓷电介质层对置的表面起深度为20nm的区域中,Sn相对于Sn和Ni的合计量之比Sn/(Ni+Sn)比以摩尔比计为0.001以上的区域的比例为75%以上,并且,
所述内部电极的厚度方向的中央区域中,Sn相对于Sn和Ni的合计量之比Sn/(Ni+Sn)比以摩尔比计为0.001以上的区域的比例小于40%。
另外,本发明的层叠陶瓷电容器的制造方法的特征在于,
其为用于制造如下层叠陶瓷电容器的方法,
所述层叠陶瓷电容器具备:陶瓷层叠体,其通过层叠多个陶瓷电介质层而成;多个内部电极,它们以隔着所述陶瓷电介质层而互相对置的方式配设于所述陶瓷层叠体的内部;及外部电极,其以与所述内部电极导通的方式配设于所述陶瓷层叠体的外表面,
所述内部电极含有Ni与Sn,并且,
所述内部电极的从与所述陶瓷电介质层对置的表面起深度为20nm的区域中,Sn相对于Sn和Ni的合计量之比Sn/(Ni+Sn)比以摩尔比计为0.001以上的区域的比例为75%以上,并且,
所述内部电极的厚度方向的中央区域中,Sn相对于Sn和Ni的合计量之比Sn/(Ni+Sn)比以摩尔比计为0.001以上的区域的比例小于40%,
所述层叠陶瓷电容器的制造方法具备如下工序:
形成未烧成陶瓷层叠体的工序,所述未烧成陶瓷层叠体具有被层叠且在烧成后成为所述陶瓷电介质层的多个未烧成陶瓷电介质层、及通过涂布导电性糊剂而形成且沿着所述未烧成陶瓷电介质层间的多个界面而配设的多个未烧成内部电极图案;以及
通过对所述未烧成陶瓷层叠体进行烧成而得到所述陶瓷层叠体的工序;并且,
作为所述导电性糊剂,使用在陶瓷材料粉末中配合有Sn成分的、含有Sn成分配合共材的导电性糊剂,所述陶瓷材料粉末具有与构成所述未烧成陶瓷电介质层的陶瓷材料粉末相同的组成、或以该陶瓷材料粉末为基准的组成。
需要说明的是,在本发明中,导电性糊剂中所包含的Sn成分配合共材为,表示在与构成未烧成陶瓷电介质层的陶瓷材料粉末(电介质层用陶瓷材料粉末)同样的陶瓷材料粉末、或者、与电介质层用陶瓷材料粉末的组成相同的陶瓷材料粉末、此外、具有与电介质层用陶瓷材料粉末类似的组成的陶瓷材料粉末等材料中例如配合有SnO2之类的Sn化合物而成的材料的广义概念。
另外,本发明的另一层叠陶瓷电容器的特征在于,
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