[发明专利]成像传感器设备有效
申请号: | 201380038246.1 | 申请日: | 2013-07-17 |
公开(公告)号: | CN104508820B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 尼古拉·古尔琳尼;伊恩·瑟德维克;瑞恩那图·特尔彻塔 | 申请(专利权)人: | 科学技术设备委员会 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人: | 李晓冬 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 传感器 设备 | ||
1.一种成像传感器设备,包括:
被布置成行和列的像素传感器的阵列,所述阵列包括:多个拼接块,所述多个拼接块中的每个拼接块包括被排布在至少一个行组中的多个像素传感器;用于寻址所述像素传感器的第一组寻址线和第二组寻址线,所述每个拼接块中的所述像素传感器和寻址线的布置是相同的;
在所述阵列的外部的、沿与所述像素传感器的行相平行的所述阵列的边缘被排布的行寻址电路,所述行寻址电路通过使用所述第一组寻址线被耦接到所述像素传感器,并被配置为执行行寻址动作,在所述行寻址动作中所述每个拼接块的每个行组中的单个相应的行同时被寻址;以及
在所述阵列的外部的、沿与所述行寻址电路相同的所述阵列的边缘被排布的组寻址电路,所述组寻址电路通过使用所述第二组寻址线中的至少一些被耦接到所述像素传感器,并被配置为执行组寻址动作,在所述组寻址动作中单个拼接块的单个行组中的所有的行同时被寻址;以及
其中,所述每个拼接块还包括用于所述拼接块的每个像素传感器的逻辑门,所述逻辑门被耦接到所述第一组寻址线中的相应的一个和所述第二组寻址线中的相应的一个,以便将所述行寻址动作和所述组寻址动作相结合,使得一个拼接块的一个行组中仅一行同时被选择。
2.如权利要求1所述的成像传感器设备,其中,所述每个拼接块包括多个第二寻址线段,其中所述多个第二寻址线段中的至少一些各自被布置为与邻近的拼接块的相应的第二寻址线段相耦接,所耦接的第二寻址线段形成所述第二组寻址线。
3.如权利要求2所述的成像传感器设备,其中,在所述每个拼接块中,所述每个行组具有耦接到该行组的单个相应的第二寻址线段。
4.如权利要求2或权利要求3所述的成像传感器设备,其中,所述拼接块被布置在至少一列中,在所述每个拼接块中,所述列中的行组的数量不超过所述第二寻址线段的数量。
5.如权利要求1-3中的任一项所述的成像传感器设备,其中,每个逻辑门相对于所述拼接块的各个像素传感器的位置是不同的。
6.如权利要求5所述的成像传感器设备,其中,所述每个拼接块中多个逻辑门的位置被伪随机地分布。
7.如权利要求1所述的成像传感器设备,其中,所述像素传感器的阵列还包括一组读出线,其中每个读出线被布置为提供来自所述阵列中的多个行的每一行的单个像素传感器的经组合的信号。
8.如权利要求7所述的成像传感器设备,其中,所述每个拼接块中所述读出线的布置是相同的。
9.如权利要求7或权利要求8所述的成像传感器设备,还包括在所述阵列外部的、沿与所述行寻址电路相同的所述阵列的边缘被排布的读出电路,所述读出电路通过使用所述一组读出线被耦接到所述像素传感器。
10.如权利要求1所述的成像传感器设备,
其中,所述像素传感器的阵列还包括用于寻址所述像素传感器的第三组寻址线;
其中,通过使用所述第三组寻址线中的至少一些,所述组寻址电路还被耦接到所述像素传感器,并被配置为使用所述第三组寻址线执行第二组寻址动作,在所述第二组寻址动作中单个拼接块的单个行组的所有的行同时被寻址;以及
其中,所述每个拼接块还被布置为将所述行寻址动作和所述第二组寻址动作相结合,使得一个拼接块的一个行组中仅一行同时被选择。
11.如权利要求10所述的成像传感器设备,其中,所述行寻址动作和所述第二组寻址动作的结合使得所选择的行中的像素传感器被复位。
12.如权利要求10或权利要求11所述的成像传感器设备,其中,第一组寻址动作和所述第二组寻址动作能够同时发生。
13.如权利要求1-3中的任一项所述的成像传感器设备,其中,没有电路被排布为邻近所述像素阵列的除了所述行寻址电路被沿其排布的边缘之外的边缘。
14.一种复合成像传感器设备,包括被布置在对置的对中的多个成像传感器设备,每个成像传感器设备是根据任何前述权利要求中所述的成像传感器设备的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的