[发明专利]含碱土金属的膜的沉积法有效
申请号: | 201380030127.1 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN104350175B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | D·汤普森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 碱土金属 沉积 | ||
1.一种在基板上沉积金属氧化物膜的方法,包括:
(a)使基板表面暴露于金属前体及卤化物前体,藉以在所述基板表面上提供金属卤化物膜,其中所述金属前体包括第二族金属,且其中所述卤化物前体选自F2、C12、Br2或I2;随后
(b)使含有所述金属卤化物膜的基板表面暴露于氧化剂;及
(c)随后使所述基板表面受热或暴露于等离子体以在所述基板上提供金属氧化物膜。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包括在每个暴露步骤之后流入净化气体。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(a)、步骤(b)或步骤(c)重复一次或更多次。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属前体是选自于锶前体、钙前体及镁前体之中。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属前体包括:Sr(thd)2(双(四甲基庚二酮酸)锶)(bis(tetramethylheptanedionate)strontium)、Sr(methd)2(双(甲氧基乙氧基四甲基庚二酮酸)锶)(bis(methoxyethoxytetramethylheptanedionate)strontium)及Sr(dpm)2(双(二新戊酰基甲烷)锶)(bis(dipivaloylmethanate)strontium)、Ca(C11H19O2)2(双(四甲基庚二酮酸)钙)、C10H2F12O4Ca(六氟戊二酮酸钙)、C6H14O4Ca(甲氧基乙醇钙)、Mg(C5H5)2(双(环戊二烯基)镁(II))、C20H30Mg(双(五甲基环戊二烯)镁)或上述化合物的组合物。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氧化剂包括以下物质的其中一者或更多者:H2O、H2O2、O2、O3、N2O、NOx、硝酸盐类(nitrates)、醇类(alcohols)、羧酸类(carboxylic acids)、CO、CO2及HCOH。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属氧化物膜具有达约的厚度。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基板受热。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基板暴露于等离子体。
10.一种在基板上沉积氧化锶膜的方法,所述方法包括:
(a)使基板表面暴露在锶前体及卤化物前体的交替脉冲下,藉以在所述基板表面上提供卤化锶膜,且其中所述卤化物前体选自F2、Cl2、Br2或I2;随后
(b)使包含卤化锶膜的所述基板表面暴露于氧化剂;及
(c)使所述基板表面受热或暴露于等离子体下,藉以在所述基板表面上提供氧化锶膜。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述锶前体包括Sr(thd)2(双(四甲基庚二酮)锶)、Sr(methd)2(双(甲氧基乙氧基四甲基庚二酮)锶)或Sr(dpm)2(双(二叔戊酰基甲烷)锶)。
12.如权利要求10所述的方法,其中所述氧化剂包括以下物质的其中一者或更多者:H2O、H2O2、O2、O3、N2O、NOx、硝酸盐类、醇类、羧酸类、CO、CO2及HCOH。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380030127.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的