[发明专利]用于集成电路中的双向ESD保护的设备和方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

衬底；

静电放电保护电路，即ESD保护电路，其包括：

第一端子；

第二端子；以及

多个开关支线，其并联耦合在所述第一端子和所述第二端子之间，所述多个开关支线包括第一开关支线和第二开关支线，所述第一开关支线和所述第二开关支线中的每一个包括：

第一电流开关，其为第一可控硅整流器即第一SCR，所述第一SCR具有作为第一电流供给节点的第一阳极和作为第一电流集取节点的第一阴极，所述第一电流供给节点电耦合至所述第一端子；以及

第二电流开关，其为第二SCR，所述第二SCR具有作为第二电流供给节点的第二阳极和作为第二电流集取节点的第二阴极，所述第二电流供给节点电耦合至所述第二端子，并且所述第二电流集取节点耦合至同一开关支线的所述第一电流集取节点，其中所述第一开关支线中的所述第一电流集取节点与所述第二开关支线中的所述第一电流集取节点没有电耦合，并且其中所述第一开关支线中的所述第二电流集取节点与所述第二开关支线中的所述第二电流集取节点没有电耦合。

2.一种集成电路，包括：

衬底；

静电放电保护电路，即ESD保护电路，其包括：

第一端子；

第二端子；以及

多个开关支线，其并联耦合在所述第一端子和所述第二端子之间，所述多个开关支线包括第一开关支线和第二开关支线，所述第一开关支线和所述第二开关支线中的每一个包括：

第一电流开关，其为第一金属氧化物半导体晶体管即第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管具有作为第一电流供给节点的第一源极节点和作为第一电流集取节点的第一漏极节点，所述第一电流供给节点电耦合至所述第一端子；以及

第二电流开关，其为第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管具有作为第二电流供给节点的第二源极节点和作为第二电流集取节点的第二漏极节点，所述第二电流供给节点电耦合至所述第二端子，并且所述第二电流集取节点耦合至同一开关支线的所述第一电流集取节点，其中所述第一开关支线中的所述第一电流集取节点与所述第二开关支线中的所述第一电流集取节点没有电耦合，并且其中所述第一开关支线中的所述第二电流集取节点与所述第二开关支线中的所述第二电流集取节点没有电耦合。

3.一种集成电路，包括：

衬底；

静电放电保护电路，即ESD保护电路，其包括：

第一端子；

第二端子；以及

多个开关支线，其并联耦合在所述第一端子和所述第二端子之间，所述多个开关支线包括第一开关支线和第二开关支线，所述第一开关支线和所述第二开关支线中的每一个包括：

第一电流开关，其为第一双极晶体管，所述第一双极晶体管具有作为第一电流供给节点的第一发射极和作为第一电流集取节点的第一集电极，所述第一电流供给节点电耦合至所述第一端子；以及

第二电流开关，其为第二双极晶体管，所述第二双极晶体管具有作为第二电流供给节点的第二发射极和作为第二电流集取节点的第二集电极，所述第二电流供给节点电耦合至所述第二端子，并且所述第二电流集取节点耦合至同一开关支线的所述第一电流集取节点，其中所述第一开关支线中的所述第一电流集取节点与所述第二开关支线中的所述第一电流集取节点没有电耦合，并且其中所述第一开关支线中的所述第二电流集取节点与所述第二开关支线中的所述第二电流集取节点没有电耦合。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二端子电耦合至所述集成电路的接地节点。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二电流开关被配置为当所述第一端子上的电势相对于所述第二端子升高到高于30伏时触发；以及所述第一电流开关被配置为当所述第一端子上的所述电势相对于所述第二端子降低到低于30伏时触发。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二电流开关被配置为当所述第一端子上的电势相对于所述第二端子升高到高于第一电压幅值时触发；并且所述第一电流开关被配置为当所述第一端子上的电势相对于所述第二端子降低到低于第二电压幅值时触发，所述第二电压幅值在所述第一电压幅值的5伏内。