[发明专利]基板处理装置、温度计测系统、处理装置的温度计测方法、输送装置以及记录介质有效
申请号: | 201380027921.0 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN104364888B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 渡边明人;宫下直也;高岛克美;本田繁 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/22;H01L21/677 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 温度计 系统 方法 输送 以及 记录 介质 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:处理室,其对以保持于保持件上的状态被装入的基板进行处理;温度计测器,其计测所述处理室内的温度;输送装置,其至少将所述基板输送到所述保持件;以及控制器,其在计测所述处理室内的温度之前,使所述输送装置移动至预先设定的位置,在计测所述处理室内的温度时,在安装有所述温度计测器的状态下使所述输送装置升降,同时获取来自所述温度计测器的温度。
2.一种温度计测系统,其特征在于,具有:温度计测器,其计测对被处理体进行处理的处理室内的温度;输送装置,其输送所述被处理体;夹具,其用于将所述温度计测器安装到所述输送装置;以及控制器,其在将所述温度计测器经由所述夹具安装到所述输送装置的状态下,使所述输送装置移动,同时获取来自所述温度计测器的温度。
3.一种处理装置的温度计测方法,其特征在于,所述处理装置具有:温度计测器,其计测对被处理体进行处理的处理室内的温度;输送装置,其输送所述被处理体;以及控制器,其与所述温度计测器和所述输送装置分别连接,在该处理装置的温度计测方法中,所述控制器在计测所述处理室内的温度之前,使所述输送装置移动至预先设定的位置,在计测所述处理室内的温度时,在安装有所述温度计测器的状态下使所述输送装置移动,同时获取来自所述温度计测器的温度。
4.一种输送装置,其特征在于,能够在安装有温度计测器的状态下升降,该温度计测器计测对被处理体进行处理的处理室内的温度,该输送装置具备:固定夹具,其用于安装所述温度计测器;以及传感器,其识别能够相对于所述固定夹具装拆的温度计测器支承机构的安装或者取下。
5.一种记录介质,其特征在于,能够由控制器读取以下程序,该程序至少具有由安装于输送装置的温度计测器计测处理室内的温度的处理,该记录介质能够由控制器读取具有以下处理的程序:使所述输送装置移动至预先设定的位置的处理;以及在安装有所述温度计测器的状态下使所述输送装置移动,同时获取来自所述温度计测器的温度的处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造