[发明专利]压印用光固化性树脂组合物、其制造方法和结构体在审
申请号: | 201380027093.0 | 申请日: | 2013-05-15 |
公开(公告)号: | CN104350580A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 山田纮子;须藤康夫;宫泽幸大 | 申请(专利权)人: | 综研化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B81C99/00;C08F2/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡烨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压印 用光 固化 树脂 组合 制造 方法 结构 | ||
1.一种压印用光固化性树脂组合物,它是含有(甲基)丙烯酸类单体(A)和光引发剂(B)的压印用光固化性树脂组合物,
其特征在于,所述光引发剂(B)由苯烷基酮类光引发剂(B1)和酰基氧化膦类光引发剂(B2)组合而成,所述苯烷基酮类光引发剂(B1)和所述酰基氧化膦类光引发剂(B2)的掺合重量比(B1∶B2)在1∶99~90∶10的范围内。
2.如权利要求1所述的压印用光固化性树脂组合物,其特征在于,相对于100重量份的所述(甲基)丙烯酸类单体(A),含有0.01~20重量份的所述苯烷基酮类光引发剂(B1)和0.01~20重量份的所述酰基氧化膦类光引发剂(B2)。
3.如权利要求1或2所述的压印用光固化性树脂组合物,其特征在于,所述苯烷基酮类光引发剂(B1)为选自2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羟基-环己基-苯基-酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)-苯基]-2-羟基-2-甲基-丙烷-1-酮和2-羟基-1-{[4-(2-羟基-2-甲基-丙酰基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮的至少1种。
4.如权利要求1~3中任一项所述的压印用光固化性树脂组合物,其特征在于,所述酰基氧化膦类光引发剂(B2)为选自2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基-氧化膦和双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦的至少1种。
5.如权利要求4所述的压印用光固化性树脂组合物,其特征在于,所述苯烷基酮类光引发剂(B1)为1-羟基-环己基-苯基-酮,酰基氧化膦类光引发剂(B2)为双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦,苯烷基酮类光引发剂(B1)和酰基氧化膦类光引发剂(B2)的掺合重量比(B1∶B2)在10∶90~70∶30的范围内。
6.一种在表面上形成了微细图案的结构体的制造方法,其特征在于,包括以下工序:
(I)将权利要求1~5中任一项所述的压印用光固化性树脂组合物涂布在基板上的工序,
(II)在所述基板上的压印用光固化性树脂组合物上抵接在表面上形成了微细图案的母模的工序,
(III)在所述基板和所述母模之间的所述压印用光固化性树脂组合物上照射光,使压印用光固化性树脂组合物固化的工序,和
(IV)从上述固化了的压印用光固化性树脂组合物剥离上述母模的工序。
7.一种在表面上形成了微细图案的结构体的制造方法,其特征在于,包括以下工序:
(I)将权利要求1~5中任一项所述的压印用光固化性树脂组合物滴加于在表面上形成了微细图案的母模上的工序,
(II)在所述压印用光固化性树脂组合物的表面上被覆基板的工序。
(III)在所述基板和所述母模之间的所述压印用光固化性树脂组合物上照射光,使压印用光固化性树脂组合物固化的工序,和
(IV)从上述固化了的压印用光固化性树脂组合物剥离上述母模的工序。
8.一种结构体,其特征在于,由权利要求6或7所述的制造方法而得。
9.如权利要求8所述的结构体,其特征在于,形成了相对于所述母模的微细图案,收缩率为10%以下的微细图案。
10.如权利要求8或9所述的结构体,其特征在于,在所述结构体上照射18000mJ/cm2的光之后的该结构体的YI值与光照射前的结构体的YI值的差值为0.0~3.0。
11.如权利要求8~10中任一项所述的结构体,其特征在于,以JIS K5600 5-4规定的表面硬度以铅笔硬度计为3B~3H。
12.如权利要求8~11中任一项所述的结构体,其特征在于,所述结构体为压印用模具。
13.如权利要求8~11中任一项所述的结构体,其特征在于,所述结构体为防反射膜。
14.如权利要求8~11中任一项所述的结构体,其特征在于,所述结构体为扩散膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造