[发明专利]半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件。

背景技术

已知作为半导体器件的一个实例是一种配备有MOSFET的半导体芯片的半导体器件(参见专利文献1)。在这种半导体器件中，安装在管芯焊盘上的半导体芯片通过栅极线连接至栅极引线，并且通过多个源极线连接至源极引线。

引证专利文献列表

专利文献

[专利文献1]日本专利公布No.4746061

发明内容

技术问题

在上述半导体中，最接近栅极线的源极线具有等于和长于其他源极线的长度。因此，当流过多个源极线的电流随时间变化时，由于电磁效应，栅极线更易受从多个源极线接收的互感的影响。因此，在上述半导体器件中，施加至栅极线的栅电压更随时间波动。

本发明的一个目的是提供一种半导体器件，其能抑制栅电压随时间波动。

问题的解决方法

根据本发明一个方面的半导体器件包括至少一个半导体芯片、连接至该至少一个半导体芯片的栅极布线、连接至该至少一个半导体芯片的第一布线以及连接至该至少一个半导体芯片的第二布线，其中第一和第二布线沿栅极布线延伸，其中第一布线布置在栅极布线和第二布线之间，其中第一布线是最接近栅极布线的布线，并且其中栅极布线的与第一布线相对的第一部分短于栅极布线的与第二布线相对的第二部分。栅极布线的第一部分可以是位于栅极布线和从第一布线的给定点引出至栅极布线的垂线之间的交点处的部分。栅极布线的第二部分可以是位于栅极布线和从第二布线的给定点引出至栅极布线的垂线之间的交点处的部分。

当流过第一和第二布线的电流随时间变化时，因为电磁效应，因此栅极布线易受从第一和第二布线接收的互感的影响。因此，半导体芯片的栅电压随时间波动。互感由栅极布线和第一和第二布线之间的距离以及栅极布线的与第一和第二布线相对的部分的长度决定。随着栅极布线和第一和第二布线之间的距离更短，互感变得更大。随着栅极布线的与第一和第二布线相对的部分的长度更长，互感变得更大。

在半导体器件中，栅极布线的与最接近栅极布线的第一布线相对的第一部分的长度d1短于栅极布线的与第二布线相对的第二部分的长度d2。因此，由于电磁效应而由栅极布线从第一布线接收的互感更小，由此抑制栅电压随时间波动。

该至少一个半导体芯片可以包括多个半导体芯片；该多个半导体芯片可以沿第一方向布置；并且，相对于在彼此相邻的半导体芯片之间的沿与第一方向垂直的第二方向延伸的轴，在一侧上的栅极布线、第一布线以及第二布线可以与另一侧上的栅极布线、第一布线以及第二布线反转地布置。

这均匀化了由半导体芯片的栅极布线由于电磁效应而从第一和第二布线接收的互感的影响，由此降低在彼此相邻的半导体芯片之间的栅电压的波动。

至少一个半导体芯片可以由包含宽带隙半导体的材料制成。

与由硅制成的半导体芯片相比，这允许更大的电流流过第一和第二布线。因此，在宽带隙半导体中，栅电压趋于随时间更大地波动，这通过抑制栅电压随时间波动而产生更大的效果。

半导体器件进一步包括连接至栅极布线的布线图案。

在这种情况下，将半导体芯片和布线图案之间的距离设定得更小可以降低栅极布线的长度。这使得栅极布线较不易受由于电磁效应而从第一和第二布线接收的互感的影响，由此进一步限制栅电压随时间波动。

半导体器件进一步包括电连接至栅极布线的第一引线、电连接至第一和第二布线的第二引线以及具有用于安装至少一个半导体芯片的芯片安装表面的管芯焊盘。

对于配备有引线的半导体器件来说，典型的困难是将栅极布线与第一和第二布线充分分开。因此，在配备有引线的半导体器件中，栅电压趋于更随时间波动，这通过抑制栅电压随时间波动而产生更大的效果。

发明的有益效果

根据本发明，可以提供能抑制栅电压随时间波动的半导体器件。

附图说明

图1是示意性图示根据第一实施例的半导体器件的平面图；

图2是图示在根据第一实施例的半导体器件中的栅电压随时间波动的实例的图表；

图3是示意性图示用于参考的半导体器件的平面图；

图4是图示在用于参考的半导体器件中的栅电压随时间波动的实例的图表；

图5是示意性图示根据第二实施例的半导体器件的平面图；以及

图6是示意性图示用于参考的半导体器件的平面图。

具体实施方式