[发明专利]用于低蚀刻速率硬模膜的具有氧掺杂的PVD氮化铝膜

权利要求书

1.一种硬模，包含：

氧掺杂的多晶氮化铝材料。

2.如权利要求1所述的硬模，其中所述氧以高达25原子百分比的量存在。

3.如权利要求2所述的硬模，其中所述硬模具有[0002]峰，所述[0002]峰比未掺杂的氮化铝硬模的硬模的[0002]峰小。

4.如权利要求3所述的硬模，其中所述硬模所具有的颗粒尺寸小于未掺杂的氮化铝硬模的颗粒尺寸，其中氧掺杂的氮化铝硬模的[0002]峰是所述未掺杂的氮化铝硬模的[0002]峰的尺寸的1/10。

5.如权利要求1所述的硬模，其中所述硬模具有在-5MPa与5MPa之间的应力。

6.一种制造硬模的方法，包含：

在含有惰性气体、含氮气体及含氧气体的气氛中溅射铝靶材，以沉积氧掺杂的多晶氮化铝材料，其中所述含氮气体的量比所述含氧气体的量的两倍更多；及

图案化所述氧掺杂的多晶氮化铝材料以形成所述硬模。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述含氮气体包含N₂。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述含氧气体包含O₂。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述惰性气体与所述N₂的比介于1：1至1：20之间，且其中所述N₂与所述O₂的比介于100：1至20：1之间。

10.如权利要求6所述的方法，其中在摄氏25度与摄氏500度之间的温度下发生溅射，且其中在1毫托耳与100毫托耳之间的腔室压力下发生溅射。

11.如权利要求6所述的方法，其中所述溅射是DC溅射或脉冲DC溅射。

12.一种制造硬模的方法，包含：

在含有惰性气体、含氮气体及含氧气体的气氛中溅射氮化铝靶材，以形成氧掺杂的多晶氮化铝材料，其中所述含氮气体的量比所述含氧气体的量的两倍更多；及

图案化所述氧掺杂的多晶氮化铝材料以形成所述硬模。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述溅射是射频溅射。