[发明专利]具有反射器的双面晶体硅太阳能板有效
申请号: | 201380011923.0 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN104272466B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | I·朔伊洛夫 | 申请(专利权)人: | 贝克阳光公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/048;H01L31/068;H01L31/05 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 反射 双面 晶体 太阳能 | ||
本专利申请要求根据35 USC§119(e)享有2012年2月29日提交的申请号为61/604517的题为“具有反射器和V2O5的双面c-Si太阳能板”的美国临时申请,以及2012年5月19日提交的申请号为61/649236的题为“具有反射器和多种接口材料的双面c-Si太阳能板”作为优先权。上述提及的每个专利以全文引用的形式结合在此。
背景技术
光伏板(“太阳能板”)可以用于将太阳光转换成电能。有多种技术用于制造光伏板,包括基于单晶硅晶片的、基于多晶硅晶片的和基于薄膜硅的。很多市售的光伏板制作成仅一个侧面暴露在太阳光下。
发明内容
概括地说,本发明涉及一种改进的光伏太阳能电池系统及其方法。在一种方案中,双面太阳能电池包括耦接到一个n型半导体层的p型晶体硅层。双面太阳能电池可以包括耦接至n型半导体层的多个第一金属导线。至少一些所述第一金属导线可与n型半导体层电连通。双面太阳能电池可以包括耦接到所述p型晶钵硅层的阻挡层。阻挡层可包括钒氧化物,钼氧化物,铝氮化物,钨镍氧化物和硼掺杂金刚石中的一种或多种。在一个实施例中,阻挡层的厚度可从1.0纳米到10.0纳米。在其它实施例中,阻挡层的厚度可从2.0纳米到6.0纳米。双面太阳能电池可以包括耦接到所述阻挡层的透明导电层。双面太阳能电池可以包括多个耦接到所述透明导电层的第二金属导线。至少一些所述第二金属导线可以与透明导电层电连通。双面太阳能电池还可以包括耦接到所述n型半导体层的第一侧上并设置在所述多个第一金属导线之间的钝化层。
本发明还公开了具有太阳能板和所述至少一个反射器的光伏系统。所述太阳能板包括太阳能电池,其中至少有一些是双面太阳能电池。该太阳能电池被布置在所述板中,以形成至少两行。太阳能电池中的第一行可串联电连接。太阳能电池中的第一行可以具有第一长轴。太阳能电池的第二行可串联电连接。太阳能电池的第二行可以具有与第一长轴一致的第二长轴。太阳能电池的第一行可以并联电连接到太阳能电池单元的第二行。所述反射器位于太阳能板附近。所述反射器包括面向所述太阳能板的反射表面。在一个实施例中,所述反射表面可以具有与第一和第二长轴一致的第三长轴。在一个实施例中,所述第三长轴与所述第一和第二长轴形成从5°到负5°的夹角角度。反射表面可以包括铝,银,和/或一种白色材料中的至少一种。在一个实施例中,所述反射表面可以具有复合抛物线形轮廓。在其它实施例中,反射表面可以具有半圆形的轮廓,或包含平坦表面的轮廓。太阳能板可进一步包括第一透明保护层和/或第二透明保护层。太阳能板中的太阳能电池可以被布置在第一透明保护层和所述第二透明保护层之间。所述第一透明保护层可以经由第一层压层耦接到所述双面太阳能电池的多个第一金属导线。第二透明保护层可以经由第二层压层耦接到所述双面太阳能电池的多个第二金属导线。
这些和其他方面和优点,以及这种新技术的新颖性特征将列于说明书的下面部分,并且结合下面的说明书和附图,对于本领域技术人员来说将变得清楚,或者通过实践本发明所披露的技术的一个或多个实施例来获知。
附图说明
图1是光伏系统的一个实施例的示意性透视图,其示出了双面太阳能电池之间的电连接。
图2是一个局部截面图,其示意性地示出了图1中的光伏系统。
图3是图1的光伏系统的示例性双面太阳能电池的截面示意图。
图4是图1的光伏系统的示意性透视图。
图5是双面太阳能电池的另一个实施例的示意图,其具有可选的、高度掺杂的p型半导钵层。
图6是包括具有复合抛物线轮廓的反射器的光伏系统的透视图。
图7是包括具有三角形轮廓反射器的光伏系统的另一个实施例的示意性透视图。
图8是包括具有梯形轮廓反射器的光伏系统的另一个实施例的示意性透视图。
图9是包括反射器的光伏系统的另一个实施例的示意性透视图,其中反射器具有包括平面表面的轮廓。
具体实施方式
下面将详细地参考附图,这至少有助于说明由本发明提供的新技术的多种相关的实施方案。
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