[发明专利]电压检测电路和电子电路

说明书

本发明提供一种电压检测电路，设置：基准电压电流源(153)，其生成基准电压(VREF)和基准电流(IREF)；开关元件(102)，其在基准电压(VREF)比规定的阈值电压高时，从断开状态转变为接通状态；电流镜电路(104)，其使相当于基准电流(IREF)的电流流过接通状态的开关元件(102)；电容元件(101)，其被流过开关元件(102)的电流充电；和反相器(105)，其将基于电容元件(101)的端子电压而被激活的使能信号(EN)输出。

技术领域

本发明涉及一种在例如半导体装置的电源接通复位时被利用的电压 检测电路。

背景技术

为了包含比较器的电子电路正常进行动作，需要基准电压稳定，其中， 该比较器将从电源电压生成的基准电压作为一个比较输入来接收。但是， 在电源接入时，由于电源电压较低，因此基准电压不稳定。因此，将表示 是否得到了所需要的基准电压的使能信号输出的电压检测电路被用于实 际应用当中。

根据一现有技术，按照对基准电压源的输出的上升或者基准电流源的 输出的上升进行检测的方式，采用以下结构：在电源电压与接地电压之间， 相对于电阻元件、二极管和N沟道MOS晶体管的第1串联电路，并联设 置P沟道MOS晶体管与电阻元件的第2串联电路，并向P沟道MOS晶 体管的栅极施加电阻元件与二极管的连接点的电压，通过基准电压或者基 准电流来控制N沟道MOS晶体管的动作(参照专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-223796号公报

发明要解决的课题

在近年来的半导体装置中，特别是在面向便携设备的应用领域中，小 面积化以及低消耗电流化的希望很强烈。

但是，根据上述现有技术，在得到了所需要的基准电压之后，电流继续分别流过第1以及第2串联电路。在要将该电流抑制在例如几nA左右的情况下，假设电源电压为3.3V，则各电阻元件的值为几100MΩ级 (order)，电阻元件较大占有了半导体芯片面积。也就是说，在上述现有技术中，不能兼得小面积化以及低消耗电流化。

此外，由于实际的基准电压缓慢地上升是通常的例子，因此根据上述 现有技术，在得到所需要的基准电压之前使能信号可能被误激活。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种兼得小面积化以及低消耗电流化，并且 防止误动作的电压检测电路。

解决课题的手段

为了实现上述目的，本发明涉及的电压检测电路采用以下结构：具备： 基准电压电流源，其生成基准电压和基准电流；开关元件，其在所述基准 电压或者基于所述基准电压并通过电压输出电路而生成的内部电压比规 定的阈值电压高时，从断开状态转变为接通状态；电流镜电路，其使相当 于所述基准电流的电流流过接通状态的所述开关元件；电容元件，其被流 过所述开关元件的电流充电；和输出电路，其将基于所述电容元件的端子电压而被激活的使能信号输出。

根据此结构，从开关元件的输入电压比规定的阈值电压高的时刻起， 电容元件的充电开始，在通过其静电电容与充电电流来决定的延迟时间之 后，使能信号被激活。因此，在使能信号被激活之前，得到所需要的基准 电压或者内部电压的足够的时间被确保，误动作被防止。并且，由于在电 容元件的充电结束后，电流不流过该电容元件，因此消耗电流被抑制。此 外，由于即使是小静电电容值也能得到所需要的延迟时间，因此小面积化 被实现。

发明效果

根据本发明，能够抑制电压检测电路的消耗电流并实现小面积化，此 外，能够防止该电压检测电路的误动作。此外，在后段的电子电路中能够 正确地判断基准电压电流源或者电压输出电路的启动状态。

附图说明