[发明专利]电压检测电路和电子电路有效

专利信息
申请号: 201380010983.0 申请日: 2013-02-06
公开(公告)号: CN104137416B 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 宫本信次;山根一郎;藤山博邦 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 韩聪
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电压 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种电压检测电路,具备:

基准电压电流源,其生成基准电压和基准电流;

第1开关元件,其具有接收所述基准电压或者基于该基准电压而由电压输出电路生成的电压的第1栅极,在对所述第1栅极的施加电压比规定的第1阈值电压高时,从断开状态转变为接通状态,所述基准电压或者基于该基准电压而由电压输出电路生成的所述电压是不使用比较器而生成的;

电流镜电路,其使相当于所述基准电流的电流流过接通状态的所述第1开关元件;

电容元件,其与所述电流镜电路串联连接,被流过所述第1开关元件的电流充电;和

输出电路,其将基于所述电容元件的端子电压而被激活的使能信号输出,

所述使能信号表示所述基准电压达到了规定的电压。

2.根据权利要求1所述的电压检测电路,其特征在于,

所述第1开关元件是N沟道MOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的电压检测电路,其特征在于,

还具备放电电路,该放电电路使存储在所述电容元件中的电荷放电。

4.根据权利要求3所述的电压检测电路,其特征在于,

所述放电电路具有相对于所述电容元件并联连接的P沟道MOS晶体管,

所述P沟道MOS晶体管的栅极与源极相互连接,并通过所述P沟道MOS晶体管的体二极管来执行所述电容元件的放电。

5.根据权利要求1所述的电压检测电路,其特征在于,

所述输出电路具有反相器,该反相器在输入端子接收所述电容元件的端子电压。

6.根据权利要求1所述的电压检测电路,其特征在于,

还具备:

电压输出电路,该电压输出电路根据所述基准电压来生成内部电压;和

第2开关元件,其具有接收基于所述基准电压而由所述电压输出电路生成的电压的第2栅极,且相对于所述第1开关元件以及所述电容元件串联连接,在对所述第2栅极的施加电压比规定的第2阈值电压高时,从断开状态转变为接通状态,

所述电压输出电路将所述内部电压提供给所述第2开关元件。

7.根据权利要求6所述的电压检测电路,其特征在于,

所述电压输出电路具有用于对提供给所述第2开关元件的电压进行调整的电阻分割电路。

8.根据权利要求6所述的电压检测电路,其特征在于,

所述第2开关元件是在栅极接收从所述电压输出电路提供的电压的N沟道MOS晶体管。

9.一种电子电路,其特征在于,

基于权利要求1~8的任意1项所述的电压检测电路的输出,来判断所述基准电压电流源或者所述电压输出电路的启动状态。

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