[发明专利]含金刚烷基的非聚合物减反射组合物

权利要求书

1.一种形成微电子结构的方法，所述方法包括：

提供具有表面的微电子基材；

任选地在所述基材表面上形成一个或多个中间底层；以及

如果存在中间底层，则邻近所述中间底层形成减反射层或平坦化层，如果不存在中间底层，则邻近所述基材表面形成减反射层或平坦化层，该减反射层或平坦化层由包括分散或溶解于溶剂体系中的非聚合物化合物的组合物形成，所述非聚合物化合物包括至少两个环氧部分和至少一种金刚烷基。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非聚合物化合物还包括连接至所述化合物中的各环氧化物部分的一个或更多个化学改性基团。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述化学改性基团选自下组：光衰减部分、溶解度增强部分、粘附促进部分、粘附降低部分、流变改性剂及其组合。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

任选地邻近所述减反射层或平坦化层形成一个或更多个中间层；

邻近所述中间层或者如果不存在中间层则邻近所述减反射层或平坦化层来施涂成像层；以及

对所述成像层进行图案化，从而在所述成像层中形成图案。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述中间层选自下组：硬掩模、旋涂碳层、减反射涂层及其组合。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述图案化包括：

将所述成像层选择性地暴露于活化辐射；

对所述成像层进行曝光后烘烤；以及

使所述成像层与光刻胶显影剂接触，从而形成所述图案。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括如果存在中间层，则将所述图案转移进入所述中间层，以及进入所述减反射层或平坦化层，其中所述转移包括干蚀刻所述减反射层或平坦化层来形成图案化的减反射层或平坦化层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，当使用CF₄等离子体作为蚀刻剂时，所述成像层相对于所述减反射层或平坦化层的蚀刻比例约为1:2-4:1。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括如果存在中间底层，则将所述图案转移进入所述中间底层，以及进入所述基材，所述转移通过干蚀刻并使用所述图案化的减反射层或平坦化层作为蚀刻掩模进行。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述减反射层或平坦化层不是光敏性的。

11.一种用于形成微电子结构的组合物，所述组合物包括分散或溶解于溶剂体系中的非聚合物化合物，所述非聚合物化合物包括至少两个环氧部分和至少一个金刚烷基，其中至少一个所述环氧部分包括化学改性基团。

12.如权利要求11所述的组合物，其特征在于，所述化学改性基团选自下组：光衰减部分、溶解度增强部分、粘附促进部分、粘附降低部分、流变改性剂及其组合。

13.如权利要求11所述的组合物，其特征在于，所述化学改性基团是光衰减部分，其选自下组：苯基、萘基、蒽基、C₁-C₁₂烷基和它们的取代的衍生物。

14.如权利要求11所述的组合物，其特征在于，至少一个所述环氧部分具有下述通式：

或者，

其中*是化合物的连接点，各y是1-2，各L独立地是氨基连接基、醚连接基、硫连接基、肼连接基、亚磺酸酯连接基、磺酸酯连接基、磺酰胺连接基、酯连接基、碳酸酯连接基、氨基甲酸酯连接基、酰胺连接基、尿素连接基，各X是化学改性基团，各R独立地是-O-或-CH₂-，且各R²独立地是-H、烷基、磺酸酯基、酯基、碳酸酯基、氨基甲酸酯基或其官能化衍生物。

15.如权利要求11所述的组合物，其特征在于，所述非聚合物化合物还包括核组分，所述环氧部分和所述金刚烷基分别连接至该核组分。

16.如权利要求11所述的组合物，其特征在于，所述溶剂体系包括选自下组的溶剂：丙二醇单甲基醚、丙二醇甲基醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙二醇正丙基醚、环己酮、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、γ-丁内酯及其混合物。