[发明专利]图像拾取元件、制造装置和方法以及图像拾取装置

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

组成像素的读出晶体管的沟道部分；以及

浮置扩散区，

其中，至少部分相互重叠地形成沟道部分和浮置扩散区。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中，沟道部分和浮置扩散区部分或者整体地暴露在组成像素的光电二极管之外。

3.如权利要求1所述的图像传感器，其中，在组成像素的光电二级管的表面上以柱状形式形成沟道部分和浮置扩散区。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其中，在组成单个像素的光电二极管的区域内形成沟道部分和浮置扩散区。

5.如权利要求1所述的图像传感器，其中，由多个像素共享沟道部分和浮置扩散区。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其中，形成读出晶体管的栅极电极，以部分或者整体地围绕沟道部分和浮置扩散区的侧表面。

7.如权利要求1所述的图像传感器，还包括：

第一芯片，在其中形成读出晶体管、浮置扩散区和组成像素的光电二极管；以及

第二芯片，在其中形成组成像素的放大用晶体管、选择用晶体管和重置用晶体管，

其中，第一芯片和第二芯片相互重叠并且组合。

8.如权利要求7所述的图像传感器，其中，组合第一芯片和第二芯片以使得第一芯片的像素内的布线和第二芯片的布线关于每个像素或者每多个像素的对应电路连接。

9.如权利要求7所述的图像传感器，其中，在其中形成包括像素的输出部分或者输入部分的晶体管的逻辑电路的第三芯片进一步与已与第一芯片组合的第二芯片重叠并且组合。

10.如权利要求1所述的图像传感器，其中，在P+层上堆积地形成组成像素的放大用晶体管、选择用晶体管和重置用晶体管中的至少一个的沟道部分的P-层。

11.一种制造图像传感器的制造装置，该制造装置包括：

沟道形成单元，形成组成图像传感器的像素的读出晶体管的沟道部分；以及

浮置扩散区形成部分，形成浮置扩散区以使得至少部分地相互重叠浮置扩散区和由沟道形成单元形成的沟道部分。

12.如权利要求11所述的制造装置，还包括

光电二极管形成单元，形成光电二极管，

其中，沟道形成单元在由光电二极管形成单元形成的光电二极管的表面上形成沟道部分，并且

其中，浮置扩散区形成单元形成浮置扩散区以使得浮置扩散区重叠至在光电二极管的表面上形成的沟道部分。

13.如权利要求12所述的制造装置，

其中，浮置扩散区形成单元在由光电二极管形成单元形成的光电二极管的表面之上形成浮置扩散区，以及

其中，沟道形成单元在光电二极管之内形成沟道部分以使得沟道部分重叠至由浮置扩散区形成单元形成的浮置扩散区。

14.如权利要求11所述的制造装置，还包括

晶体管形成单元，形成组成像素的放大用晶体管、选择用晶体管和重置用晶体管中的至少之一以使得每个沟道部分的P-层堆积在P+层上。

15.如权利要求11所述的制造装置，还包括：

制造单元，制造在其中形成组成像素的放大用晶体管、选择用晶体管和重置用晶体管的第二芯片，作为与在其中形成读出晶体管和浮置扩散区的第一芯片不同的芯片；以及

组合单元，在第一芯片上重叠并且组合由制造单元制造的第二芯片。

16.如权利要求15所述的制造装置，其中，组合单元通过关于每个像素和每多个像素的对应电路连接第一芯片的像素内的布线和第二芯片的布线，组合第一芯片和第二芯片。

17.如权利要求15所述的制造装置，还包括：

第三芯片制造单元，制造在其中形成包括像素的输入部分或者输出部分的晶体管的逻辑电路的第三芯片；以及

第三芯片组合单元，组合由第三芯片制造单元制造的第三芯片与由组合单元与第一芯片组合的第二芯片。

18.一种制造图像传感器的制造方法，该制造方法包括：

由沟道形成单元形成组成图像传感器的像素的读出晶体管的沟道部分；以及

由浮置扩散区形成单元形成浮置扩散区以使得至少部分地相互重叠浮置扩散区和形成的沟道部分。