[实用新型]一种筛板及具有该筛板的等离子体处理装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种在薄膜沉积及蚀刻装置中进行气体输送的筛板及具有该筛板的等离子体处理装置。

背景技术

在半导体及显示行业中晶圆或者玻璃基板上薄膜的沉积速率或蚀刻速率的均一性直接影响到产品的质量，这个标准已经是衡量设备规格非常重要的指标。

目前业界使用如图1所示的等离子体处理装置，用于产生反应气体600的等离子体，对衬底300进行沉积、蚀刻工艺处理时，一般在反应腔100内的上部设置筛板400’，通过该筛板400’上分布的多个气孔，将从进气管引入的反应气体600输送到反应腔100内进行后续处理。现有筛板400’上的气孔一般是上下口径一致的圆柱孔401。

然而，上述筛板往往不能满足工艺要求，特别是对均一性要求特高的产品，也要求相关设备（沉积/蚀刻）的均一性具有一些特殊的设计来满足工艺要求。目前业界已有的解决方案包括不同拱形程度或者孔等间距分布的筛板设计，也可以通过调整电极板温度的均一性，也可以包括进行工艺参数调整（气体压力，气体流量，腔体温度，功率等）。但是，每种方案的改善能力都有自身调控的能力限制，有时候需要通过综合考虑，才能达到改善均一性的效果，其存在通用和互换性能低，更换成本较高的缺陷。

实用新型内容

为了解决现有技术的问题，使筛板的通用性能和互换性能更强，降低更换筛板所产生的成本，方便对筛板的薄膜沉积和蚀刻的均匀性进行局部调节和更换，本实用新型提供了一种筛板及具有该筛板的等离子体处理装置。

所述技术方案如下：

一方面，本实用新型提供了一种筛板，其设置于等离子体处理装置的反应腔内，所述筛板上设有多个分区，各分区间彼此独立设置，在每个分区的所述筛板上设置多个气孔；所述的筛板由各个分区拼接而成，且各分区拼接后位于同一平面内。

位于同一分区内的所有所述气孔均为单一性气孔结构，同一分区内的各气孔均具有相同的气流量。

所述气孔为圆柱孔、椭圆柱孔、锥形孔和方型孔中的一种。

位于同一分区内的所有所述气孔至少设置两种气孔结构，同一分区内所有各种气孔的气流量总和与在同一分区内设置单一性气孔的所述单一性气孔的气流量总和保持相同。

每个分区中的所述气孔为圆柱孔、椭圆柱孔、锥形孔和方型孔中的至少两种的组合。

所述筛板包括四个分区，所述四个分区中的位于同一分区中的气孔均为单一性气孔，且所述四个分区中的气孔分别为圆柱孔、椭圆柱孔、锥形孔和方型孔的任一一种。

所述的筛板包括四个分区，所述的四个分区中的每一个分区中均设有两种气孔，且气孔分别为圆柱孔、椭圆柱孔、锥形孔和方型孔中的任意两种的组合。

所述气孔的当量直径为0.1厘米～10厘米；每个分区中的所述气孔的间距为0.1厘米～10厘米。

所述筛板两相邻的分区中，其中一分区设置有第一扣持部，另一分区设置有与所述第一扣持部相配合使两分区相拼接的第二扣持部。

另一方面，本实用新型还提供了一种等离子体处理装置，包括筛板，所述筛板为上述所提供的筛板结构。

本实用新型提供的技术方案带来的有益效果是：

通过与现有技术相比，本实用新型根据原先衬底各个区域处理速率的不同情况，将筛板分成多个分区，且各分区之间独立设置，各分区通过拼接形成筛板结构，在需要气体流量大的筛板分区上设置口径较大的气孔，来提高衬底对应区域的沉积或蚀刻速率；而在筛板上需要气体流量小的分区设置口径较小的气孔，来减缓衬底上对应区域的沉积或蚀刻速率，最终获得对衬底各区域均匀处理的效果，并且当均一性恶化后，再根据速率分布图，可以将筛板的各个分区重新进行自由组合，或者用别的新定制的分区来替代原先的某个分区，从而可以在短时间内再次获得理想的均一性处理效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有的薄膜沉积或蚀刻用等离子处理装置及其中筛板的结构示意图；

图2是实用新型的薄膜沉积或蚀刻用等离子处理装置及其中筛板结构示意图；

图3是实用新型所述筛板结构上设置四个分区的一种实施例，图中示出了在这四个分区上对应开设圆柱孔的平面结构示意图；