[实用新型]湿蚀刻机台有效
| 申请号: | 201320825561.6 | 申请日: | 2013-12-13 |
| 公开(公告)号: | CN203607372U | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
| 发明(设计)人: | 解瑞松 | 申请(专利权)人: | 解瑞松 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蚀刻 机台 | ||
技术领域
本新型涉及一种湿蚀刻机台,特别涉及一种具有可拆卸的废水槽体的湿蚀刻机台。
背景技术
在目前的蚀刻工艺中,半导体元件是放置于石英槽内并通过酸液来进行蚀刻。为了调整蚀刻工艺的反应温度,石英槽是设置于湿蚀刻机台内的容置槽,并且容置槽内会注入大量的水,再通过加热程序调整水温以控制石英槽内的温度。
在多次的操作过程中,容置槽会历经多次的升温、降温过程,这容易造成容置槽的结构劣化。举例来说,容置槽内的焊点会因此老化而破裂,甚至产生漏液的现象。再者,石英槽内的酸液若是溅出,也会破坏焊点的结构强度。
当容置槽发生漏液现象时,一般会先移除容置槽内的焊点,再以人工方式重新进行焊接。然而,以人工方式重新焊接除了在品质上较为不稳定,焊点的寿命较短,而在短时间内又容易再度发生漏液的问题现象。另一方面,在完成焊接后,相关的漏液测试也需要较长的时间(数日),而使得整个工序需要耗费数日的施工时间。也就是说,当湿蚀刻机台内的容置槽发生漏液现象时,所需要的处理程序较为复杂且效果较差。
实用新型内容
鉴于以上的问题,本实用新型的目的在于提供一种湿蚀刻机台,藉以解决现有技术中,当湿蚀刻机台内的容置槽,发生漏液现象时,所需要的处理程序较为复杂且施工时间较长而效果较差的问题。
为达上述目的,本实用新型提供一种湿蚀刻机台,其包含:
一外壳;
一处理槽体,设置于该外壳内,该处理槽体具有一组装口;以及
一废水槽体,以能够拆卸的方式结合于该处理槽体,该废水槽体具有一结合口,且该结合口与该组装口相连通。
上述的湿蚀刻机台,其中该处理槽体具有相连的一底板以及一侧板,该组装口贯穿该底板,且该组装口对应该废水槽体的一槽口。
上述的湿蚀刻机台,其中另包含一组装架,位于该组装口,该废水槽体通过该组装架而结合于该处理槽体。
上述的湿蚀刻机台,其中该组装架相反于该废水槽体的一侧延伸有一导引板,该导引板连接该侧板。
上述的湿蚀刻机台,其中该导引板的延伸方向与该底板的延伸方向夹一锐角。
上述的湿蚀刻机台,其中另包含一挡水板,分别连接该侧板以及该组装架。
上述的湿蚀刻机台,其中该挡水板的延伸方向与该底板的延伸方向夹一锐角。
上述的湿蚀刻机台,其中该组装架相反于该废水槽体的一侧延伸有一导引板,该挡水板连接该导引板以及该侧板。
上述的湿蚀刻机台,其中该导引板的延伸方向与该底板的延伸方向夹一锐角。
上述的湿蚀刻机台,其中该组装架朝该废水槽体延伸有一遮挡块。
上述的湿蚀刻机台,其中该侧板具有至少一连通孔,贯穿该侧板。
上述的湿蚀刻机台,其中另包含至少一支撑架,该支撑架的一侧连接于该废水槽体,该支撑架的另一侧连接于该湿蚀刻机台的一承载面。
上述的湿蚀刻机台,其中一防水垫圈通过至少一螺丝而锁固于该支撑架与该废水槽体之间。
上述的湿蚀刻机台,其中另包含至少二支撑杆,该二支撑杆的相对两端分别连接该湿蚀刻机台的相对二内侧壁。
上述的湿蚀刻机台,其中该处理槽体的材质为高聚合度聚氯乙烯。
上述的湿蚀刻机台,其特征在于,所述另包含一蚀刻槽,该蚀刻槽容置于该废水槽体内。
根据上述本实用新型实施例所揭露的湿蚀刻机台,由于废水槽体是可拆卸地结合于处理槽体,所以当湿蚀刻机台内的容置槽发生漏液现象时,只需要更换废水槽体,因而在程序上较为简单。同时,更换废水槽体的工序可采用工具施工以确保品质的稳定。再者,更换废水槽体后的湿蚀刻机台也具有较长的使用寿命。另一方面,由于可预先对废水槽体进行水压测试,因而在将废水槽体组合于处理槽体之后不须重新进行漏液测试。所以,更换废水槽体的工序所需的时间也较短。如此一来,即解决了现有技术中当湿蚀刻机台内的容置槽发生漏液现象时,所需要的处理程序较为复杂且效果较差的问题。
以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述,但不作为对本实用新型的限定。
附图说明
图1A为本实用新型一实施例所揭露的湿蚀刻机台的示意图;
图1B为图1A的湿蚀刻机台的部分结构示意图;
图1C为本实用新型另一实施例所揭露的湿蚀刻机台的部分结构示意图;
图1D为图1C的湿蚀刻机台的另一部分结构示意图;
图2为本实用新型又一实施例所揭露的湿蚀刻机台的部分结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





