[实用新型]一种单晶硅片有效
| 申请号： | 201320814312.7 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN203787439U | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李振国;钟宝申;邓良平 | 申请（专利权）人： | 西安隆基硅材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352 |
| 代理公司： | 西安吉盛专利代理有限责任公司 61108 | 代理人： | 潘宪曾 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 | ||
1.一种单晶硅片，包括矩形本体(10)，其特征在于：所述本体(10)的四角为圆弧，且该四个圆弧位于同一圆上。
2.如权利要求1所述的单晶硅片，其特征在于：所述本体(10)的截面由两个平行相对的横边(11)、两个平行相对的纵边(12)及连接在相邻的横边(11)和纵边(12)之间的四个圆弧边(13)构成；
所述两个横边(11)之间的间距A：156≤A≤157mm；两个纵边(12)之间的间距B：156≤A≤157mm；所述圆的直径D：203≤D≤215mm。
3.如权利要求2所述的单晶硅片，其特征在于：所述两个纵边(12)的间距B等于所述两个横边(11)的间距A：156.5≤A≤157mm。
4.如权利要求3所述的单晶硅片，其特征在于：所述圆的直径D：204≤D≤206mm或209≤D≤211mm。
5.如权利要求3或4所述的单晶硅片，其特征在于：所述圆的直径D：204.75≤D≤205.25mm或209.75≤D≤210.25mm。
6.如权利要求2所述的单晶硅片，其特征在于：所述两个横边(11)的间距A大于所述两个纵边(12)的间距B，且：156.5≤A≤157mm。
7.如权利要求6所述的单晶硅片，其特征在于：所述两个纵边(12)的间距B：156.5≤B≤157mm。
8.如权利要求6或7所述的单晶硅片，其特征在于：所述圆的直径D：204≤D≤206mm或209≤D≤211mm。
9.如权利要求8所述的单晶硅片，其特征在于：所述圆的直径D：204.75≤D≤205.25mm或209.75≤D≤210.25mm。
10.如权利要求2所述的单晶硅片，其特征在于：所述两个横边(11)的间距A与两个纵边(12)的间距B均为156.75mm，所述圆的直径D为205mm；
或两个横边(11)的间距A与两个纵边(12)的间距B均为157mm，所述圆的直径D为210mm；
或所述两个横边(11)的间距A为156.75mm，两个纵边(12)的间距B为156.25mm，所述圆的直径D为212mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
