[实用新型]一种承载硅片的石墨框装置有效
申请号: | 201320774066.7 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN203674185U | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 张春华;李栋;高文丽;孟祥熙 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 承载 硅片 石墨 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及氮化硅薄膜制备技术领域,尤其涉及一种承载硅片的石墨框装置。
背景技术
目前,氮化硅薄膜作为晶体硅太阳能电池的光学减反射膜,同时它也起到表面钝化和体内钝化的作用,以提高太阳能电池的转换效率。
现有技术中,制备氮化硅薄膜一般采用的是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,如可以采用德国ROTH&RAU公司的PECVD设备。在采用PECVD设备制备氮化硅薄膜的过程中,需要使用一种承载硅片的石墨框。现有的石墨框呈网状结构,其网格的尺寸要比要承载的硅片尺寸略大一些,在网格的四边上均匀分布有多个挂钩,用来承载硅片,以防止硅片掉下去。
如图1所示,在现有技术中,生产硅片单晶125型(125×125mm)的石墨框1'总长度为1690mm,宽1000mm,石墨框1'有硅片承载孔2',大小为127*127mm,硅片承载孔2'的四个角上有倒角,整个硅片承载孔2'与单晶125相配,两个相邻的硅片承载孔2'之间有格条3',格条3'宽度为8mm,石墨框1'上下两端的两侧各设有一个半圆型的定位孔4'。石墨框1'上分布着6×11个硅片承载孔2'阵列,因此,只能放66片125型硅片。
然而,现在市场竞争越来越激烈,需要降低生产制造成本,增加单位时间产能,因此,现有的石墨框已经不满足现在产量需求,需要一种增加产能的石墨框;同时,现有石墨框设计容易变形,需要变形量小的石墨框。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种承载硅片的石墨框装置,其具有更高的产能,且石墨框在使用过程中不容易发生变形。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种承载硅片的石墨框装置,包括石墨框本体,所述石墨框本体上设置有若干个均匀分布的承载孔,且相邻承载孔之间设置有格条,其中,
所述格条的宽度为5.5-7.9mm,所述石墨框本体的长度为1691-1760mm;
所述石墨框本体的左右两侧各设置有两个对称分布的U型定位孔。
作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案,所述U型定位孔由长方形和半圆形通孔组成,长方形通孔的长度为1-70mm,宽度为5-8mm;半圆形通孔的直径为5-8mm,且半圆形通孔的直径与长方形通孔的宽度相等。
作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案,所述长方形通孔的长度为60mm,宽度为7mm;半圆形通孔的直径为7mm。
作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案,所述承载孔为具有倒角的正方形孔。
作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案,所述正方形孔的宽度为126-126.9mm。
作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案,所述正方形孔的宽度为126.7mm。
作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案,所述格条的宽度为7mm。
作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案,所述石墨框本体的长度为1750mm。
作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案,所述承载孔四周的格条上均匀的分布有用于支撑硅片的挂钩。
作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案,所述石墨框本体上分布有6×12个承载孔。
本实用新型的有益效果为:本申请提供了一种承载硅片的石墨框装置,其通过对石墨框本体的长度进行优化,以及在石墨框本体上设置U型定位孔,使此石墨框装置能够更好与PECVD机相匹配,并且实现了增加产量的目的。同时对格条的尺寸进行优化,减轻了格条的自身重量,可有效的防止石墨框在使用过程中发生变形。
附图说明
图1是现有技术中承载硅片的石墨框装置的结构示意图;
图2是本实用新型具体实施方式提供的承载硅片的石墨框装置的结构示意图。
其中:
1:石墨框本体;2:承载孔;3:格条;4:U型定位孔;
1':石墨框;2':承载孔;3':格条;4':定位孔。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。
如图2所示,本实施方式提供了一种承载硅片的石墨框装置,其适用于在制造氮化硅薄膜过程中承载硅片,尤其适用于生产硅片单晶125型(即硅片的尺寸为125×125mm)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造