[实用新型]一种带激光修调工艺的集成芯片结构

说明书

技术领域

  本实用新型属于集成电路设计领域，具体是指一种带激光修调工艺的集成芯片结构。

背景技术

电阻的分压功能在模拟电路中应用广泛，一些电路对电压、电流精度要求很高，达到±10%以上。而电阻在采用集成电路工艺制造的过程中受到工艺参数波动的影响，精度常在±20%以下，严重的影响了电阻的电性能。为了消除电阻偏差给电路电性能参数带来的影响，集成芯片中采用金属熔丝与电阻网络并联的方法调整电阻值，当金属熔丝并联在电阻两端时，电阻被金属熔丝短路，电阻网络的电阻值不包含该段电阻，当采用激光熔断该金属熔丝时，该段电阻加入电阻网络，调整电阻网络总阻值。根据激光修调电阻熔丝的工艺特点，需要精心选择熔丝的金属材料，设计熔丝几何形状与大小，确保激光修调工艺可以有效熔断金属熔丝。熔丝金属汽化熔断以后还会产生金属溅射与残留，导致芯片出现可靠性问题。因此必须仔细选择各层材料，设计版图布局，以确保金属残留不会造成电路短路或对周边电路的性能产生影响。若集成电路版图设计不合理，在进行激光修调时，可能会因为熔丝无法熔断或者烧熔过度而影响周边电路性能。 

发明内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种适合带激光修调工艺的集成芯片结构。

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种带激光修调工艺的集成芯片结构，包括衬底以及设置在衬底上的第一金属层，所述第一金属层上设置可激光修调的熔丝图形, 第一金属层与衬底之间增设阱区，所述阱区嵌在衬底内，该阱区做浮空处理，不接任何电位。该结构可以避免熔丝残留导致短路的问题，熔丝熔断后残留物只会落在阱区以内，不会对其它电路产生影响。

优选的，所述集成电路版图结构还包括设置在阱区与第一金属层之间的硅化物阻止区SAB。

更优选的，与第一金属层相邻的上方或下方设置第二金属层，第二金属层及第一金属层电性连接，第二金属层用于设置熔丝与熔丝及熔丝与集成电路内其它电路的连接线路。 

更优选的，所述集成电路版图结构还包括嵌在衬底上的掺杂区，所述掺杂区包围硅化物阻止区SAB及阱区，第一金属层覆盖掺杂区，在掺杂区上形成一金属保护环。

更优选的，还包括覆盖于集成电路表面的钝化层，所述钝化层上对应熔断区的范围开窗。

具体的方案为：所述第一金属层上设置多个熔丝图形，所述熔丝图形包括两个端头及熔断区；所述端头为边长为3-4微米的正方块，所述熔断区为具有一定长度、宽0.5-2微米的长方形。且各个熔丝图形之间至少保留9微米的间距。

另外，还需设置金属熔丝标识层，以使激光修调时能够准确快速的找到需熔断的熔丝。

本实用新型具有以下显著效果：（1）本实用新型通过在集成电路版图设计中，在衬底上加入做浮空处理的阱区，容纳熔丝熔断后的残留物，有效避免熔丝残留导致短路而对其它电路产生影响。（2）并增设硅化物阻止区SAB实现最大程度的隔离熔断区对周边电路的影响，进一步提高采用激光修调工艺制作的集成电路芯片的良率。（3）配合熔丝制作的具体形状尺寸等设定及窗口的设定，提高芯片制作的质量与效率。

附图说明

附图1是本实用新型所述集成芯片结构平面示意图；

附图2为图1中A-A处剖视图；

附图3为所述集成芯片内部结构示意图。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员理解，下面将结合附图以及实施例对本实用新型进行进一步详细描述。