[实用新型]一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器

权利要求书

1.一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，其特征在于：至少包含：

一浅沟槽隔离区，形成于半导体基底内；

一闸极，由多个闸氧化层及多晶硅层依序形成于所述半导体基底表面上方；

一介电层，形成于闸极周围，且该上层截面积无氧化层覆盖；

二间隙壁，形成于闸极的侧壁，且该一闸极周围的介电层侧壁只有一间隙壁，用以隔离源极、汲极与闸极所构成的构造，以便于源极重掺杂；

一重掺杂源/汲极，通过重掺杂离子植入形成于两闸极之间的半导体基底内；

一轻掺杂汲极，形成于该闸极的间隙壁底部与该半导体基底之间；

一金属硅化物，形成于闸极与源/汲极上方；

及一内金属介电层，形成于存储器上部表面，在所述闸极与源/汲极扩散区之间蚀刻一共同接触插塞，用以隔离金属层。

2.如权利要求1所述的一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，其特征在于：所述半导体基底为硅底材。

3.如权利要求1所述的一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，其特征在于：所述闸氧化层至少包含二氧化硅，采用干式氧化法制得。

4.如权利要求3所述的一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，其特征在于：所述闸极至少包含多晶硅、磷、砷及硅化钨中的一种，采用热扩散法制得。

5.如权利要求1所述的一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，其特征在于：所述一闸极周围侧壁只有一间隙壁，闸极侧壁无间隙壁处，也覆盖有金属硅化物。

6.如权利要求5所述的一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，其特征在于：所述间隙壁至少包含氧化硅。

7.如权利要求6所述的一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，其特征在于：所述金属硅化物至少包含钛金属。

8.如权利要求1所述的一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，其特征在于：所述介电层包含硅元素和/或氧元素，采用低压化学其相沉积法制得。

9.如权利要求1所述的一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，其特征在于：所述浅沟槽隔离区至少包含多晶硅及二氧化硅。

10.如权利要求1所述的一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，其特征在于：所述内金属介电层至少包含二氧化硅。