[实用新型]半导体器件及包括该半导体器件的集成装置有效
| 申请号： | 201320675145.2 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203800053U | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | U.瓦尔;A.维尔梅罗特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H02M3/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;王洪斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 集成 装置 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的缓冲层；
补偿区，所述补偿区包括位于所述缓冲层上的p区和n区；以及
位于所述补偿区上的晶体管单元，所述晶体管单元包括源区、体区、栅电极、以及至少在栅电极和体区之间形成的栅极电介质，
其特征在于，所述栅极电介质具有在12 nm到50 nm的范围内的厚度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有在1V-2V范围内的栅极阈值电压。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有在1.2V-2V范围内的栅极阈值电压。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有1.6V的栅极阈值电压。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层具有比所述n区低的掺杂浓度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层具有朝向衬底增加的掺杂浓度。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层包括所述衬底上的第一子层和第一子层上的第二子层，并且第二子层的掺杂高于第一子层的掺杂。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲层包括所述衬底上的第一部分和第一部分上的第二部分，并且第一部分具有朝向衬底增加的掺杂浓度。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是超结器件。
10.一种集成装置，包括：
根据权利要求1-9中的任一项所述的半导体器件；和
与所述半导体器件集成在一起用于控制所述半导体器件的操作的控制器，
其中所述半导体器件直接被所述控制器驱动。
11.根据权利要求10所述的集成装置，其特征在于，所述控制器与所述半导体器件单片地、逐个芯片地或者以芯片上芯片的形式集成。
12.根据权利要求10或11所述的集成装置，其特征在于，所述集成装置采用反激式拓扑结构。
13.根据权利要求10或11所述的集成装置，其特征在于，所述集成装置采用LLC拓扑结构。
14.根据权利要求10或11所述的集成装置，其特征在于，所述集成装置采用TTF拓扑结构。
15.根据权利要求10或11所述的集成装置，其特征在于，所述集成装置采用ZVS拓扑结构。
16.根据权利要求10或11所述的集成装置，其特征在于，所述集成装置采用PFC拓扑结构。
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