[实用新型]阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、显示装置。

背景技术

TN(扭曲向列)模式的液晶显示装置具有响应速度快、成本低等优点，是液晶显示装置的一种重要模式。

如图1所示，在TN模式的阵列基板中，薄膜晶体管的栅极21/栅线22形成在基底9上，栅绝缘层31覆盖栅极21/栅线22，栅绝缘层31上设有半导体层41(半导体层41加上欧姆接触层、过渡层等即构成薄膜晶体管的有源区)、像素电极11、源极71、漏极72，源极71、漏极72与半导体层41电连接，漏极72还与像素电极11电连接。同时，阵列基板中还可设有数据线、公共电极线、配向膜等其他结构(图中未示出)；而在与阵列基板对盒的彩膜基板上，还设有公共电极等其他结构。

如图1所示，在现有的TN模式的阵列基板中，栅绝缘层31覆盖了整个基底9，即栅绝缘层31在像素电极11处也有分布，而该位置的栅绝缘层31会影响透光，从而降低阵列基板的透过率。

同时，栅极21/栅线22、半导体层41、像素电极11需要分别在不同的构图工艺中制造，即为制造这些结构至少需要进行3次光刻，因此其制备工艺复杂。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题包括，针对现有的TN模式的阵列基板透过率低、制备工艺复杂的问题，提供一种透过率高、制备工艺简单的阵列基板、显示装置。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括栅极、栅线、栅绝缘层、半导体层、像素电极、隔离层、源极、漏极，且

所述栅极、栅线包括透明导电材料层；

所述栅绝缘层不超出栅极和栅线上方；

所述隔离层覆盖栅极、栅绝缘层、半导体层、栅线、像素电极；

所述源极、漏极位于隔离层上方，并分别通过隔离层中的源极过孔和漏极过孔与半导体层电连接；漏极还通过隔离层中的第一过孔与像素电极电连接。

本实用新型的阵列基板中，栅绝缘层不超出栅极和栅线上方，故其像素电极处没有栅绝缘层，因此栅绝缘层不会对光的透过产生影响，透过率高；同时，由于其栅线/栅极包括透明导电材料层，因此其栅线/栅极、栅绝缘层、半导体层、像素电极可在一次构图工艺中同时形成，制备工艺简单、效率高。

优选的是，所述栅绝缘层和半导体层图形相同，且只位于栅极上方。

优选的是，所述栅极、栅线还包括位于透明导电材料层上的栅金属层。

优选的是，所述半导体层由金属氧化物半导体材料制成。

优选的是，所述隔离层为平坦化层、钝化层、刻蚀阻挡层中的任意一种。

进一步优选的是，所述隔离层为平坦化层，所述隔离层由感光树脂材料制成。

优选的是，所述源极、漏极位于隔离层上。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述阵列基板。

由于本实用新型的显示装置包括上述阵列基板，因此其透过率高、制备工艺简单、效率高。

其中，本实用新型的阵列基板、显示装置优选均是用于液晶显示的，即其阵列基板优选为TN型的液晶显示阵列基板，显示装置优选为TN型的液晶显示装置，但应当理解，本实用新型也可用于有机发光二极管(OLED)显示装置，即其阵列基板中的像素电极可相当于有机发光二极管的阳极或阴极。

附图说明

图1为现有的TN模式阵列基板的剖面结构示意图；

图2为本实用新型的实施例2的阵列基板在制备过程中的一个俯视结构示意图；

图3为图2的沿AA’面的剖面结构示意图；

图4为本实用新型的实施例2的阵列基板在制备过程中的一个俯视结构示意图；

图5为图4的沿AA’面的剖面结构示意图；

图6为本实用新型的实施例2的阵列基板在制备过程中的一个俯视结构示意图；

图7为图6的沿AA’面的剖面结构示意图；

图8为本实用新型的实施例2的阵列基板在制备过程中的一个俯视结构示意图；

图9为图8的沿AA’面的剖面结构示意图；

图10为本实用新型的实施例2的阵列基板在制备过程中的一个俯视结构示意图；

图11为图10的沿AA’面的剖面结构示意图；

图12为本实用新型的实施例2的阵列基板在制备过程中的一个俯视结构示意图；

图13为图12的沿AA’面的剖面结构示意图；

图14为本实用新型的实施例2的阵列基板在制备过程中的一个俯视结构示意图；

图15为图14的沿AA’面的剖面结构示意图；