[实用新型]一种碳化硅外延生长反应室的顶盖

说明书

技术领域

本实用新型涉及外延生长设备技术领域，尤其涉及一种外延生长设备反应室的顶盖结构。

背景技术

由于碳化硅本身具有大禁带宽度、优良的稳定性、高热导率、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度等优良特性，所以碳化硅成为制作高温、大功率、高频和强辐射电力电子器件的理想半导体材料。与传统的硅器件相比，碳化硅器件能够在10倍于硅器件的电场强度下正常工作。而用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是生长在碳化硅衬底上的碳化硅外延片。目前碳化硅外延生长已经实现了商业化，用于外延生长碳化硅的设备中，反应室顶盖为设备中重要的一个部件，在外延生长反应室设计中起到了很大的作用，它能调节反应室内部温度场分布，改善外延生长条件，是外延生长反应室重要的组成部分。

传统外延反应室顶盖的缺点:

顶盖主要分为两部分：上顶盖为隔热材料石墨泡沫，下顶盖为带有TaC涂层的高纯石墨。在实际使用中，下顶盖上会有很多中间产物的沉积。这些沉积物随着使用时间的增加越来越厚，并会在外延生长过程中掉落到晶片上从而引起外延生长缺陷的产生，因此需要定期对下顶盖进行拆卸、清理和更换。然而当前的顶盖设计很难避免在拆卸下顶盖时不对上、下顶盖造成永久性损坏，其原因在于：在进行多次外延生长后，顶盖会由于高温而变形，另外，反应的中间产物会将上顶盖与下顶盖之间的缝隙填满，使其牢固的粘附在一起，很难分开。因此，当强力拆卸下顶盖时很容易对上、下顶盖造成损坏，而且会对反应室腔体造成污染。因此，在通常的设备清理维护时，都不将下顶盖拆卸下来，而是直接在反应室内部清理下顶盖上的沉积物。清理过程中会产生大量粉尘等污染，会对后续碳化硅外延生长的质量造成很大影响。为了保持反应室腔体的干净，减少外延生长过程中的表面掉落物缺陷和其他缺陷，及时拆卸和更换下顶盖是必须的，然而传统顶盖的设计在拆卸时很难将上、下顶盖分开，这样就凸显上述设计的不足。

实用新型内容

本实用新型提出一种方便、无损拆卸的碳化硅外延生长反应室的顶盖，解决了现有技术中碳化硅外延生长反应室顶盖的上、下顶盖不易分离、拆卸，不易清理维护，以及在拆卸过程中容易对顶盖造成破坏的问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种碳化硅外延生长反应室的顶盖，包括上顶盖和下顶盖，所述上顶盖中间设有第一通孔，所述下顶盖中间设有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔的中心线在同一直线上，所述下顶盖设有顶起装置。

进一步，所述顶起装置包括螺栓和螺孔，所述螺孔均匀分布在所述下顶盖边缘，所述螺栓与所述螺孔螺纹连接。

优选的，所述螺孔的数量为6个-12个，相邻的所述螺孔间距为5mm-15mm，所述螺孔的直径为2mm-10mm。

进一步，所述螺栓为平头螺栓。

进一步，所述螺栓为石墨螺栓。

本实用新型的有益效果：

1、顶起装置的设置，保证了在拆分上、下顶盖时更加方便，在拆卸所述下顶盖时，将顶起装置中的螺栓拧紧，利用拧紧螺栓时产生的推力推动上顶盖与下顶盖分离。

2、选择平头石墨螺栓，平头的螺栓可保证其与上顶盖接触时，上顶盖不被损坏，保证了上、下顶盖能够完好无损地分离；含有石墨材质的螺栓具有耐高温的特性，保证了其在高温环境下不被破坏。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的平面结构示意图；

图2为本实用新型的立体结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

参照图1和2，一种碳化硅外延生长反应室的顶盖，包括上顶盖1和下顶盖2，所述上顶盖中间设有第一通孔3，所述下顶盖中间设有第二通孔4，所述第一通孔3和所述第二通孔4的中心线在同一直线上，所述下顶盖2设有顶起装置。

本实用新型连接于一个不锈钢外盖上，不锈钢外盖中间设有一个凸起，该凸起上设有卡槽，将所述第一通孔3和所述第二通孔4套进该凸起后，再将设有卡扣的石墨卡环套进凸起，旋转石墨卡环，将卡扣旋进卡槽，从而将所述上顶盖1和所述下顶盖2锁紧固定。