[实用新型]一种基板处理装置有效
申请号: | 201320560643.2 | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN203562407U | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 申屠江民;张平;胡雪龙;黄旭辉;卢凤卫;王磊 | 申请(专利权)人: | 浙江金徕镀膜有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
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地址: | 321017 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及平板显示技术领域,尤其涉及一种基板处理装置。
背景技术
化学钢化玻璃的原理是,使玻璃表层中半径较小的离子与溶液中半径较大的离子交换,例如将玻璃中的Na+与KNO3熔盐溶液中的K+进行离子交换,利用碱离子体积上的差别在玻璃表层形成表面压应力,从而增强玻璃的硬度。
化学钢化玻璃在生产过程中,需要先将钢化玻璃在预热箱中大致预热到350℃或以上,再将钢化玻璃浸入化学池内的KNO3熔盐中进行离子交换,离子交换过程中属于保温过程,离子交换完成后,在预热箱中冷却到一定的温度。此预热及冷却过程都需分别经循环热风和冷却风来实现。
现有的预热箱内壁设有一循环系统和放置于预热箱内部中央的吊笼,所述循环系统包括设置于内壁的夹层风道、风机和加热器,所述夹层风道上还设置有通孔。所述吊笼内平行竖直放置有玻璃,其顶部盖有一盖板,所述吊笼位于所述夹层外。工作时,所述风机输出循环风,循环风经过风道,被加热器加热或冷却,并从所述通孔吹出,流经至吊笼内的玻璃的表面,并加热或者冷却所述玻璃。所述盖板的作用是,保证熔盐炉在离子交换过程中的保温。
然而循环风在流经玻璃的表面后,不可避免的会撞击到吊笼顶部的盖板,使循环风骤然变小,造成玻璃从下到上受热或受冷不均匀,影响了循环风的加热及冷却效果,而玻璃预热及冷却过程中温度的均匀性直接影响到玻璃的良品率。
实用新型内容
有鉴于此,有必要提供一种能提高基板处理良品率的基板处理装置。
根据本实用新型的方面,提出了一种基板处理装置,其至少包括具有一第 一收容空间的本体、风循环系统和用于固定基板的固定模块,所述固定模块可与所述本体分离地收容于所述本体的第一收容空间内,所述风循环系统设置于所述本体内,所述固定模块至少包括一第二顶部,所述第二顶部上设置有多个便于风通过的第一通孔。
本实用新型提出的一种基板处理装置中,所述本体还包括第一顶部及第一侧壁,所述风循环系统至少包括鼓风模块、加热模块及风道,所述第一顶部及第一侧壁均呈内部中空状,且所述第一顶部及第一侧壁的内部中空部分相连通形成所述风道,所述鼓风模块设置于所述第一顶部上且收容于所述第一顶部的中空部分;所述加热模块设置于所述第一侧壁上且收容于所述第一侧壁的中空部分。
本实用新型提出的一种基板处理装置中,所述本体还包括第一底部,所述第一底部与所述第一顶部平行相间设置并通过所述第一侧壁相连接,形成所述第一收容空间;所述第一侧壁靠近所述第一底部的一端内侧设有一第一开口。
本实用新型提出的一种基板处理装置中,所述固定模块还包括具有多个第二收容空间的支撑件及第二底部,所述第二顶部与所述第二底部相互平行相间设置且通过所述支撑件相连接,所述第一通孔位于所述第一第二顶部上与所述多个第二收容空间相对的位置处,所述第二底部上与所述多个第二收容空间相对的位置处设有多个第二开口,多个所述第二开口在所述第二底部或第二顶部上的投影被所述多个第二开口在所述第二底部或第二顶部上的投影所覆盖。
本实用新型提出的一种基板处理装置中,所述固定模块收容于所述第一收容空间后,所述第一顶部与所述第二顶部之间相互平行相间,所述第二底部与所述第一底部之间相互平行相间,所述支撑件与所述第一侧壁上各处之间具有相同的间距,所述第二底部上任意一处与所述第一底部之间的间距大于或等于所述第一开口的任意一处与所述第一底部之间间距。
本实用新型提出的一种基板处理装置中,所述加热模块设置于所述第一侧壁靠近所述第一顶部的一端,其在所述第一顶部上的投影呈一矩形环状,所述第一侧壁由四个整体呈长方体形的矩形块首尾相接形成,所述本体和固定模块均呈长方体形,所述第一收容空间亦成长方体形。
本实用新型提出的一种基板处理装置中,所述第一开口在所述第一底部上的投影呈矩形环状。
本实用新型提出的一种基板处理装置中,所述第一顶部和第一底部具有相同的大小和形状,第二顶部和第二底部具有相同的大小和形状。
本实用新型提供的基板处理装置通过在固定模块上的第二顶部设置多个第一通孔,使循环风能够均匀的、畅通无阻流过整个基板表面,从而保持基板在预热和冷却过程中温度的均匀性,提高了钢化基板的良率。
附图说明
下面将结合附图及实施方式对本实用新型作进一步说明,附图中:
图1为本实用新型提供的一较佳实施方式的基板处理装置100的主视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造