[实用新型]一种基板处理装置有效
申请号: | 201320560643.2 | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN203562407U | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 申屠江民;张平;胡雪龙;黄旭辉;卢凤卫;王磊 | 申请(专利权)人: | 浙江金徕镀膜有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 321017 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,至少包括具有一第一收容空间的本体、风循环系统和用于固定基板的固定模块,所述固定模块可与所述本体分离地收容于所述本体的第一收容空间内,所述风循环系统设置于所述本体内,所述固定模块至少包括一第二顶部,所述第二顶部上设置有多个便于风通过的第一通孔。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:所述本体还包括第一顶部及第一侧壁,所述风循环系统至少包括鼓风模块、加热模块及风道,所述第一顶部及第一侧壁均呈内部中空状,且所述第一顶部及第一侧壁的内部中空部分相连通形成所述风道,所述鼓风模块设置于所述第一顶部上且收容于所述第一顶部的中空部分;所述加热模块设置于所述第一侧壁上且收容于所述第一侧壁的中空部分。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于:所述本体还包括第一底部,所述第一底部与所述第一顶部平行相间设置并通过所述第一侧壁相连接,形成所述第一收容空间;所述第一侧壁靠近所述第一底部的一端内侧设有一第一开口。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于:所述固定模块还包括具有多个第二收容空间的支撑件及第二底部,所述第二顶部与所述第二底部相互平行相间设置且通过所述支撑件相连接,所述第一通孔位于所述第二顶部上与所述多个第二收容空间相对的位置处,所述第二底部上与所述多个第二收容空间相对的位置处设有多个第二开口,多个所述第二开口在所述第二底部或第二顶部上的投影被所述多个第二开口在所述第二底部或第二顶部上的投影所覆盖。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于:所述固定模块收容于所述第一收容空间后,所述第一顶部与所述第二顶部之间相互平行相间,所述第二底部与所述第一底部之间相互平行相间,所述支撑件与所述第一侧壁上各处之间具有相同的间距,所述第二底部上任意一处与所述第一底部之间的间距大于或等于所述第一开口的任意一处与所述第一底部之间间距。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于:所述加热模块设置于所述第一侧壁靠近所述第一顶部的一端,其在所述第一顶部上的投影呈一矩形环状,所述第一侧壁由四个整体呈长方体形的矩形块首尾相接形成,所述本体和固定模块均呈长方体形,所述第一收容空间亦成长方体形。
7.如权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于:所述第一开口在所述第一底部上的投影呈矩形环状。
8.如权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于:所述第一顶部和第一底部具有相同的大小和形状,第二顶部和第二底部具有相同的大小和形状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江金徕镀膜有限公司,未经浙江金徕镀膜有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320560643.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:机床集液槽用切削液回收装置
- 下一篇:一种棒材送料装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造