[实用新型]晶体生长掺杂装置有效
| 申请号： | 201320559276.4 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN203474960U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张继友;王新阳;陈建荣 | 申请（专利权）人： | 冠铨（山东）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 272000 山东省济宁市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体生长 掺杂 装置 | ||
【权利要求书】：
1. 晶体生长掺杂装置，由三乙基镓管道（1）、三甲基镓管道（2）、压力仪（3）、流量仪（4）、三乙基镓阀门（5）、三乙基镓罐（6）、三甲基镓罐（7）、三甲基镓阀门（8）组成，其特征是三乙基镓罐（6）通过管道与三乙基镓阀门（5）相连接，三乙基镓阀门（5）的上端设置流量仪（4），压力仪（3）与流量仪（4）并联设置，流量仪（4）的上端设置三乙基镓管道（1），三甲基镓罐（7）的上端设置三甲基镓阀门（8），三甲基镓阀门（8）通过流量仪（4）与三甲基镓管道（2）相连接。
2. 根据权利要求1所述的晶体生长掺杂装置，其特征在于三乙基镓罐（6）浸泡在恒温水槽中，温度控制在17±0.5℃。
3. 根据权利要求1所述的晶体生长掺杂装置，其特征在于三甲基镓罐（7）浸泡在恒温水槽中，温度控制在5±0.5℃。
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