[实用新型]透明基材、透明导电元件和薄膜电子器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及触摸屏电子器件领域，尤其是涉及一种透明基材、含有该透明基材的透明导电元件和薄膜电子器件。

背景技术

透明基材如光学玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）或薄膜等被广泛应用于电子显示领域。传统设计的透明基材，在光穿过时，因存在光的折射和反射使得最终透过透明基材的光会发生一定的损耗，尤其是在基材表面镀上导电层时，导电材料会使光的透过率进一步下降。而随着触摸屏电子器件的发展，用户对电子设备的要求越来越高，因此，低反射、高透过率的透明基材需求日益明显。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种低反射、高透过率的透明基材、含有该透明基材的透明导电元件和薄膜电子器件。

一种透明基材，包括透明基底及设在所述透明基底一侧表面的多孔二氧化硅复合物涂层，所述多孔二氧化硅复合物涂层包括纳米多孔二氧化硅和填充在所述纳米多孔二氧化硅中的有机硅树脂，所述多孔二氧化硅复合物涂层的孔隙率为10%-50%。

在其中一个实施例中，所述透明基底的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚乙烯（PE）、聚碳酸酯（PC）、环烯烃共聚物（COC）或环烯烃聚合物（COP）。

在其中一个实施例中，所述纳米多孔二氧化硅的粒径为10nm-100nm，孔径为5nm-50nm，比表面积为50-300m²/g。

在其中一个实施例中，所述有机硅树脂为分子式SiR_4-n(OH)_n的有机硅醇单体经缩聚反应形成，其中，R为烷烃基、芳香基或卤素，n为1、2或3。

在其中一个实施例中，所述有机硅树脂为SiCH₃(OH)₃与SiF(OH)₃经缩聚反应形成。

在其中一个实施例中，所述透明基底的厚度为0.02mm-0.7mm，所述多孔二氧化硅复合物涂层的厚度为50nm-5μm。

一种透明基材的制作方法，包括如下步骤：在洁净的透明基底一侧表面涂覆纳米多孔二氧化硅的树脂混合物，然后将含有所述纳米二氧化硅的树脂混合物的透明基底在50-200℃条件下进行固化处理10min-120min，在所述透明基底表面形成多孔二氧化硅复合物涂层；其中，所述纳米多孔二氧化硅的树脂混合物包括纳米多孔二氧化硅、有机硅醇单体、溶剂、催化剂及硬化剂，所述溶剂为乙醇、正丁醇、乙二醇-丁醚、乙酸丁酯、环己酮及缩水甘油醚中至少一种，所述催化剂为可溶性金属有机盐，所述硬化剂为二乙烯三胺、三乙烯四胺、二丙烯三胺、二甲胺基丙胺、二乙胺基丙胺、二已基三胺及已二胺中至少一种，所述多孔二氧化硅复合物涂层的孔隙率为10%-50%。

在其中一个实施例中，所述纳米多孔二氧化硅的粒径为10nm-100nm，孔径为5nm-50nm，比表面积为50-300m²/g；所述有机硅树脂为分子式SiR_4-n(OH)_n的有机硅醇单体经缩聚反应形成，其中，R为烷烃基、芳香基或卤素，n为1、2或3。

在其中一个实施例中，所述有机硅树脂为SiCH₃(OH)₃与SiF(OH)₃经缩聚反应形成。

一种透明导电元件，包括上述任一实施例所述的透明基材，所述透明基底的另一侧表面设有透明导电层。

在其中一个实施例中，所述透明导电层的材料为铟（In）、锑（Sb）、锌（Zn）、镉（Cd）及锡（Sn）的多元氧化物。

在其中一个实施例中，所述透明导电层的材料为氧化铟锡（ITO），所述氧化铟锡中氧化铟与氧化锡的质量比为90:10-99:1。

在其中一个实施例中，所述透明导电层的厚度为5nm-25nm。

一种薄膜电子器件，包括上述任一实施例所述的透明导电元件。

上述透明基材通过在透明基底的一侧表面设置多孔二氧化硅复合物涂层，其中纳米多孔二氧化硅可以用来调节复合物涂层的空隙，从而可以改变涂层的有效折射率，使整个透明基材获得较佳的减反射效果，实现产品的增透效果。此外，多孔二氧化硅复合物涂层为纳米多孔二氧化硅与有机硅树脂的复合结构，使得整个涂层结构的附着力及表面硬度相对于单独的多孔二氧化硅涂层效果更佳。该透明基材可以用于制作透明导电元件广泛应用在触摸屏、太阳能电池等薄膜电子器件领域。

附图说明