[实用新型]透明基材、透明导电元件和薄膜电子器件有效
| 申请号： | 201320532816.X | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN203414610U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 唐根初;刘伟;唐彬;董绳财 | 申请（专利权）人： | 南昌欧菲光科技有限公司;深圳欧菲光科技股份有限公司;苏州欧菲光科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 基材 导电 元件 薄膜 电子器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明基材，其特征在于，包括透明基底及设在所述透明基底一侧表面的多孔二氧化硅复合物涂层，所述多孔二氧化硅复合物涂层包括纳米多孔二氧化硅和填充在所述纳米多孔二氧化硅中的有机硅树脂，所述多孔二氧化硅复合物涂层的孔隙率为10%-50%。
2.如权利要求1所述的透明基材，其特征在于，所述透明基底的厚度为0.02mm-0.7mm，所述多孔二氧化硅复合物涂层的厚度为50nm-5μm。
3.一种透明导电元件，其特征在于，包括如权利要求1-2中任一项所述的透明基材，所述透明基底的另一侧表面设有透明导电层。
4.如权利要求3所述的透明导电元件，其特征在于，所述透明导电层的厚度为5nm-25nm。
5.一种薄膜电子器件，其特征在于，包括如权利要求3-4中任一项所述的透明导电元件。
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