[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320526664.2 | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN203445120U | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 程鸿飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
液晶显示器是一种平面超薄的显示设备,其具有体积小、厚度薄、重量轻、耗能少、辐射低等优点,广泛应用于各种电子显示设备中。液晶显示器的显示效果主要由液晶显示面板决定,液晶显示面板主要包括阵列基板、彩膜基板以及位于两块基板之间的液晶分子层。其中,阵列基板在很大程度上决定了液晶显示面板的响应时间和显示效果。
阵列基板上通常包括薄膜晶体管、像素电极等结构,其中薄膜晶体管具体包括栅极、有源层、源极、漏极等结构。在底栅型薄膜晶体管阵列基板制作过程中,通常需要5次构图工艺分别形成栅极、有源层、源极和漏极、漏极过孔以及像素电极。顶栅型薄膜晶体管阵列基板的制作则需要经过更加复杂的构图工艺以形成各层结构。
实用新型人发现,传统的阵列基板结构复杂,需要经过多次构图工艺才能制作形成,成本较高,且多次构图工艺中存在对位误差问题,降低了阵列基板的良品率。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及显示装置,能够简化阵列基板的结构,减少阵列基板制作过程中的构图次数,提高了阵列基板的良品率。
为解决上述技术问题,本实用新型实施例提供的一种阵列基板采用如下技术方案:
一种阵列基板,包括衬底基板、栅线、数据线、阵列排布在所述衬底基板上的薄膜晶体管、像素电极和钝化层,所述薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极,所述像素电极和所述有源层、所述漏极同层设置且一体成型。
所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管,所述阵列基板包括位于所述衬底基板上的所述栅线和所述栅极,位于所述栅线和所述栅极之上的第一绝缘层,位于所述第一绝缘层之上的所述有源层、所述漏极和所述像素电极,位于所述有源层、所述漏极和所述像素电极之上的所述数据线和所述源极,以及位于所述数据线和所述源极之上的所述钝化层,其中,所述薄膜晶体管的源极连接所述有源层。
所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管,所述阵列基板包括位于所述衬底基板上的所述有源层、所述漏极和所述像素电极,位于所述有源层、所述漏极和所述像素电极之上的第一绝缘层,位于所述第一绝缘层之上的所述栅线和栅极,位于所述栅线和所述栅极之上的第二绝缘层,位于所述第二绝缘层之上的所述数据线和所述源极,以及位于所述数据线和所述源极之上的所述钝化层,其中,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层设置有对应所述有源层的过孔,所述薄膜晶体管的源极通过所述过孔连接所述有源层。
所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管,所述钝化层还包括对应所述像素电极的开口。
所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管,所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述钝化层还包括对应所述像素电极的开口。
所述阵列基板还包括:位于所述钝化层之上的公共电极。
所述公共电极上有狭缝。
所述有源层、所述漏极和所述像素电极的材质为氧化物半导体材料;所述有源层、所述漏极和所述像素电极的厚度为
以上所述的实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板包括具有如上所述的结构。该阵列基板上像素电极、有源层和漏极同层设置且一体成型,简化了阵列基板的结构,在阵列基板的制作过程中可以有效减少构图工艺次数,节约了成本。同时,还避免了多次构图工艺存在的对位误差问题,提高了阵列基板的良品率,应用该阵列基板的显示面板具有更好的显示效果。
本实用新型实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的阵列基板。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例中的一种底栅型薄膜晶体管阵列基板平面图;
图2为本实用新型实施例中的图1所示的底栅型薄膜晶体管阵列基板沿I-I’方向的剖面图;
图3为本实用新型实施例中阵列基板的制作方法流程图;
图4为本实用新型实施例中的另一种底栅型薄膜晶体管阵列基板示意图;
图5为本实用新型实施例中的底栅型薄膜晶体管阵列基板的制作方法流程图;
图6为本实用新型实施例中的一种顶栅型薄膜晶体管阵列基板平面图;
图7为本实用新型实施例中的图6所示的一种顶栅型薄膜晶体管阵列基板沿I-I’方向的剖面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的