[实用新型]太阳能硅片电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池，特别涉及一种太阳能硅片电池。

背景技术

太阳电池一般由上电极(包括主电极和栅电极)、减反射膜、光电转换材料和背电极组成。现有单晶硅、多晶硅电池片的厚度一般在150-300微米，而硅片上部的PN结深度大约只有0.3-1.0微米，电池片的内建电场在PN结区。在太阳光照射下，单晶硅、多晶硅电池片体内的光生载流子主要是电子的被诱导下向负极的有序移动，是提高单晶硅、多晶硅电池光电转换效率的重要因素之一，本发明正是一种诱导单晶硅、多晶硅电池片体内的光生载流子主要是电子向负极的有序移动的简捷高效工艺。

实用新型内容

本实用新型的目的，就是为了提供一种具有特殊电极结构的太阳能硅片电池。

为了实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：一种太阳能硅片电池，包括晶体硅片基层和连接在晶体硅片基层下表面的背电极层，其特点是，所述晶体硅片基层内均匀间隔设有多条竖向的纳米孔，各纳米孔向上不贯通，但向下贯通与背电极层相连。

所述纳米孔的长度为晶体硅片基层厚度的三分之一至三分之二。

所述纳米孔的孔径为10-100纳米，孔间距为100-1000纳米。

本实用新型的太阳能硅片电池由于在晶体硅片基层内均匀间隔设有多条竖向的纳米孔，背电极材料可能通过纳米孔渗透到晶体硅或其它半导体基体的内部，光生载流子也可以通过纳米孔加速接近电极材料，大大光生载流子的收集效率，可以提高硅基片太阳能电池转换效率1%-1.5%。

附图说明

图1为本实用新型太阳能硅片电池的剖视结构示意图。

图2为图1的A-A向剖视结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。

参见图1、图2，本实用新型的太阳能硅片电池，包括晶体硅片基层1和连接在晶体硅片基层下表面的背电极层2，以及扩散层3和上表面层4，四周设有刻鉵边框5。在晶体硅片基层1内均匀间隔设有多条竖向的纳米孔11，各纳米孔向上不贯通，但向下贯通与背电极层相连。纳米孔的长度为晶体硅片基层厚度的三分之一至三分之二。纳米孔的孔径为10-100纳米，孔间距为100-1000纳米。纳米孔的制作可以使用刻蚀或可控激光排空技术完成。