[实用新型]一种InGaN/Si三结太阳能电池有效
| 申请号： | 201320472436.1 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN203398145U | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张启明;王帅;高鹏;吴艳梅;刘如彬;孙强;肖志斌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0224;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ingan si 太阳能电池 | ||
1.一种InGaN/Si三结太阳能电池，自下至上包括Si底电池、InxGa1-xN第一电池和InyGa1-yN第二电池，Si底电池由n-Si衬底和p-Si层构成；所述p-Si层上面至InxGa1-xN第一电池之间依次有AlN成核层和GaN缓冲层，InxGa1-xN第一电池和InyGa1-yN第二电池之间有隧道结，其特征在于：所述n-Si衬底下面制有负电极；所述InyGa1-yN第二电池上面制有半透明电流扩展层、半透明电流扩展层上制有正电极。
2.根据权利要求1所述的InGaN/Si三结太阳能电池，其特征在于：所述半透明电流扩展层为ITO薄膜；ITO薄膜上表面涂有光刻胶作为保护区，涂有光刻胶的ITO薄膜上光刻有梳状凹槽作为正电极区域，所述正电极一端置于正电极区域内。
3.根据权利要求1所述的InGaN/Si三结太阳能电池，其特征在于：所述正电极为自下至上蒸镀成一体构的Ni/Au电极。
4.根据权利要求1所述的InGaN/Si三结太阳能电池，其特征在于：所述的负电极为自上至下蒸镀为一体的Ti/Pd/Ag电极。
5.根据权利要求2所述的一种InGaN/Si三结太阳能电池，其特征在于：所述的正电极区域的深度为50-100nm。
6.根据权利要求1所述的InGaN/Si三结太阳能电池，其特征在于：所述InxGa1-xN第一电池中0.5≤x≤0.7；所述InyGa1-yN第二电池中0.3≤y≤0.5。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
