[实用新型]一种肖特基特性自整流阻变存储器有效
| 申请号： | 201320459034.8 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN203415628U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 许积文;何玉汝;王华;戴培邦 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L27/28;H01L51/00 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 刘梅芳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 特性 整流 存储器 | ||
【权利要求书】：
1. 一种肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，其特征在于：所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。
2.根据权利要求1所述的自整流阻变存储器，其特征在于：还包括玻璃基片，所述底电极沉积于玻璃基片上。
3.根据权利要求1所述的自整流阻变存储器，其特征在于：所述导电薄膜电极是ITO薄膜电极，其厚度为20nm到400nm，电阻率低于3×10-4·cm，但不为0。
4.根据权利要求1、2或3所述的自整流阻变存储器，其特征在于：所述n型PEI-MMA有机薄膜厚度为20nm到200nm。
5.根据权利要求4所述的自整流阻变存储器，其特征在于：所述上电极的形状为圆形或方形，厚度为60nm到200nm。
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