[实用新型]具有特殊支架结构的发光二极体有效

专利信息
申请号: 201320456319.6 申请日: 2013-07-30
公开(公告)号: CN203406326U 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 简稚文;詹世雄 申请(专利权)人: 简稚文;詹世雄
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 深圳市万商天勤知识产权事务所(普通合伙) 44279 代理人: 王志明
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 特殊 支架 结构 发光 二极体
【说明书】:

技术领域

    本实用新型涉及一种发光二极体,尤其涉及一种具有特殊支架结构的发光二极体。

背景技术

原有发光二极体的制造方式依序为固晶,烘烤,焊接阴、阳极导电引线,封胶,其制作过程繁琐、耗费时间。为了缩短制作时间,降低生产成本,基于原有技术不足进行了改进,目前固晶时,晶片通过金属导电胶将晶片底面的阳极焊垫和阴极焊垫与所述支架的阳极片和阴极片固定连接并导通,无需焊导线,无需封胶,降低了成本。但是这种固晶方式,会因金属导电胶过多而包覆在晶片周围,进而影响晶片的发光效率及散热性能,缩短了发光二级体的使用寿命。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种能够接纳多余金属导电胶、使发光二极管晶片具有较好发光效率和散热性能的具有特殊支架结构的发光二极体。

为达到上述目的,本实用新型提供了一种发光二极体,包括晶片以及固定该晶片的支架,所述晶片底面的阳极焊垫和阴极焊垫与所述支架的阳极片和阴极片接触并通过金属导电胶固定连接导通,其特征在于:所述支架相对于所述晶片底部或其两侧设置有用于接纳多余下溢的金属导电胶的低洼部。

所述支架具有中间高两侧低的结构,所述晶体及其下的阳极焊垫和阴极焊垫位于所述支架中间高的位置,所述支架两侧形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。

所述支架的阳极片和阴极片相对于所述晶片底部的两侧设置有引流槽,该引流槽形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。

所述支架的阳极片和阴极片相对于所述晶片底部设置有若干贯通至所述支架顶部电路的引流孔,该引流孔形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。

所述支架及其阳极片和阴极片相对于所述晶片底部设置有若干贯通至所述支架底部电路的引流孔,该引流孔形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。

所述支架底部电路延伸至所述支架的侧面或正面。

所述阳极片和阴极片与所述阳极焊垫和阴极焊垫的接触面经过表面粗化或蚀刻花纹后形成凹凸纹理,该凹凸纹理形成用于接纳多余下溢的导电胶的低洼部。

所述支架的阳极片和阴极片为固态金属。

本实用新型在支架结构上设置低洼部,通过金属导电胶将晶片固定在支架上时,多余的金属导电胶下溢至低洼部,避免多余的金属导电胶包覆晶片周围进而影响晶片发光效率及自身的散热性,延长了发光二极体的使用寿命,达到节能环保的目的。

附图说明

参照附图,本实用新型将得到更好的理解。附图如下:

图1是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第一种实施方式剖面图;

图2是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第一种实施方式侧面剖面图;

图3是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第二种实施方式剖面图;

图4是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第二种实施方式支架俯视图;

图5是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第三种实施方式剖面图;

图6是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第三种实施方式支架俯视图;

图7是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第四种实施方式剖面图;

图8是本实用新型具有特殊支架结构的发光二极体第四种实施方式支架俯视图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案、有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型做进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

以下结合具体实施例对本实用新型的实现进行详细描述:

本实用新型的具有特殊支架结构的发光二极体,包括:包括晶片1以及固定该晶片1的支架9,所述晶片1底面的阳极焊垫3和阴极焊垫4与所述支架9的阳极片5和阴极片6接触并通过金属导电胶8固定连接导通,所述支架9相对于所述晶片1底部或其两侧设置有用于接纳多余下溢的金属导电胶的低洼部。晶片1底部设置有反光层2,晶片1底面的阳极焊垫3和阴极焊垫4之间设置有绝缘层7。支架9的阳极片5和阴极片6为固态金属。

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