[实用新型]一种驱动多路并联MOSFET的驱动装置及电机驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种驱动机构，尤其涉及一种驱动多路并联MOSFET的驱动装置和电机驱动电路。

背景技术

目前，诸多电路中需要使用到MOSFET（即金氧半场效晶体管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。单个MOSFET的输入电荷不是很大，因此其只需较小的驱动能力即可被驱动，故普通的驱动芯片即可驱动单个MOSFET。但是，很多电路中需要使用到多路并联MOSFET，多路并联MOSFET的概念为本领域技术人员所熟知，即其主要是指由多个MOSFET并联形成桥式结构，即上桥由N个（至少三个）MOSFET并联构成，下桥也由N个MOSFET并联构成。例如，四并联MOSFET是指上桥由四个MOSFET并联形成，下桥也由四个MOSFET并联形成，整体形成桥式结构。例如，在低电压、大电流的系统里，其驱动部分通常需要多路并联MOSFET，例如三相电机。然而，多路并联MOSFET的输入电荷较大，其需要较大的驱动能力，普通的驱动芯片一般没有足够的驱动能力在较短的时间内使多路并联MOSFET导通工作。

针对多路并联MOSFET，现有技术通常需要根据电路进行定制芯片或是寻找驱动能力很大的特殊的驱动芯片，这通常会使得用于驱动多路并联MOSFET的驱动电路的成本增加，且也较难在较短时间内使多路并联MOSFET导通，且导通损耗较大。

可以理解的是，本部分的陈述仅提供与本实用新型相关的背景信息，可能构成或不构成所谓的现有技术。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对现有技术中用于驱动多路并联MOSFET的装置成本较高、较难使多路并联MOSFET快速导通、且耗能较大的缺陷，提供一种成本较低、能减少能耗、且驱动能力较强以致能快速驱动多路并联MOSFET的驱动装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是提供一种驱动多路并联MOSFET的驱动装置，其包括：与所述多路并联MOSFET的上桥的输入端电连接的第一驱动电路及与所述多路并联MOSFET的下桥的输入端电连接的第二驱动电路；所述第一驱动电路包括：第一三极管Q1、第二三极管Q2、电阻R1、二极管ZD1及电容C1；第一三极管的基极同时接第二三极管的基极及电阻R1的一端，其集电极同时接二极管ZD1的阴极及电容C1的一端，其发射极接第二三极管的发射极；第二三极管的集电极接电容C1的另一端，电阻R1的另一端接第一脉宽调制信号输出端，二极管的阳极接第一电源；第一三极管及第二三极管的发射极的连接点接所述上桥的输入端；所述第二驱动电路包括：第三三极管Q3、第四三极管Q4及电阻R2；第三三极管的基极与第四三极管的基极同时接电阻R2的一端，其集电极接第一电源，其发射极与第四三极管的发射极电连接；第四三极管的集电极接地，电阻R2的另一端接第二脉宽调制信号输出端；第三三极管及第四三极管的发射极的连接点接所述下桥的输入端。

在上述驱动装置中，所述第一三极管与所述第二三极管的极性相反，所述第三三极管与第四三极管的极性相反。

本实用新型还提供了一种电机驱动电路，其包括：三支多路并联MOSFET、三个分别与所述多路并联MOSFET相连以驱动所述多路并联MOSFET的驱动装置；用于驱动所述多路并联MOSFET的驱动装置为上述驱动装置中任意一种，三支多路并联MOSFET的上桥的输入端分别电连接一所述驱动装置的第一驱动电路的输出端，三支多路并联MOSFET的下桥的输入端分别电连接一所述驱动装置的第二驱动电路的输出端；每支多路并联MOSFET的上桥中各MOSFET的漏极均与第二电源连接，且每支多路并联MOSFET的上桥和下桥的连接点与电机的三相输入端之一电连接以驱动电机，所述上桥中各MOSFET的栅极一起连接为所述上桥的输入端，所述下桥中各MOSFET的栅极一起连接为所述下桥的输入端。

在上述电机驱动电路中，每支多路并联MOSFET还包括连接于第一驱动电路的输出端与上桥的输入端之间的电阻R3。

在上述电机驱动电路中，每支多路并联MOSFET还包括连接于第二驱动电路的输出端与下桥的输入端之间的电阻R4。