[实用新型]一种驱动多路并联MOSFET的驱动装置及电机驱动电路

权利要求书

1.一种驱动多路并联MOSFET的驱动装置，其特征在于，包括：与所述多路并联MOSFET的上桥的输入端电连接的第一驱动电路及与所述多路并联MOSFET的下桥的输入端电连接的第二驱动电路；

所述第一驱动电路包括：第一三极管Q1、第二三极管Q2、电阻R1、二极管ZD1及电容C1；第一三极管Q1的基极同时接第二三极管Q2的基极及电阻R1的一端，其集电极同时接二极管ZD1的阴极及电容C1的一端，其发射极接第二三极管Q2的发射极；第二三极管Q2的集电极接电容C1的另一端，电阻R1的另一端接第一脉宽调制信号输出端，二极管的阳极接第一电源；第一三极管及第二三极管的发射极的连接点接所述上桥的输入端；

所述第二驱动电路包括：第三三极管Q3、第四三极管Q4及电阻R2；第三三极管Q3的基极与第四三极管Q4的基极同时接电阻R2的一端，其集电极接第一电源，其发射极与第四三极管的发射极电连接；第四三极管的集电极接地，电阻R2的另一端接第二脉宽调制信号输出端；第三三极管及第四三极管的发射极的连接点接所述下桥的输入端。

2.如权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，所述第一三极管与所述第二三极管的极性相反，所述第三三极管与第四三极管的极性相反。

3.一种电机驱动电路，其特征在于，包括：三支多路并联MOSFET、三个分别与所述多路并联MOSFET相连以驱动所述多路并联MOSFET的驱动装置；用于驱动所述多路并联MOSFET的驱动装置为上述权利要求1或2中所述的驱动装置，三支多路并联MOSFET的上桥的输入端分别电连接一所述驱动装置的第一驱动电路的输出端，三支多路并联MOSFET的下桥的输入端分别电连接一所述驱动装置的第二驱动电路的输出端；

每支多路并联MOSFET的上桥中各MOSFET的漏极均与第二电源连接，且每支多路并联MOSFET的上桥和下桥的连接点与电机的三相输入端之一电连接以驱动电机，所述上桥中各MOSFET的栅极一起连接为所述上桥的输入端，所述下桥中各MOSFET的栅极一起连接为所述下桥的输入端。

4.如权利要求3所述的电机驱动电路，其特征在于，每支多路并联MOSFET还包括连接于第一驱动电路的输出端与上桥的输入端之间的电阻R3。

5.如权利要求3或4所述的电机驱动电路，其特征在于，每支多路并联MOSFET还包括连接于第二驱动电路的输出端与下桥的输入端之间的电阻R4。