[实用新型]一种薄型圆片级LED的封装结构有效
申请号: | 201320410671.6 | 申请日: | 2013-07-11 |
公开(公告)号: | CN203367354U | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 谢晔;张黎;陈栋;陈锦辉;赖志明 | 申请(专利权)人: | 江阴长电先进封装有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/64;H01L33/56;H01L33/60 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 彭英 |
地址: | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄型圆片级 led 封装 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种薄型圆片级LED的封装结构,属于半导体封装技术领域。
背景技术
随着蓝光和白光发光二极管(LED)在1990年大举迈向实用化阶段后,无论是利用LED所进行的全彩显示,或是在近年来社会大众对节能议题所展现的高度重视下,LED所普及到的智能手机、个人电脑(PC)、电视背光、照明、白色家电产品或交通信号标志等多样化的产品应用领域愈来愈广。
在一些特殊场合,需要尺寸更小、更薄、散热性能更好、封装成本更低的LED封装。而目前的圆片级LED封装多采用硅基作为衬底,硅基需要一定的厚度才能保证其有合适的强度来支撑整个LED封装,同时硅基的存在限制了LED封装向尺寸更小、更薄、封装成本更低方向的发展。此外,LED芯片工作时产生的热量还会传递给硅基,硅基的导热性能不及铜、钛等金属,增加了封装热阻,影响了LED封装的可靠性。
实用新型内容
承上所述,本实用新型的目的在于克服上述结构的不足,提供一种尺寸更小、更薄、散热性能更好、封装成本更低的无硅基的薄型圆片级LED的封装结构。
本实用新型的目的是这样实现的:
一种薄型圆片级LED的封装结构,包括LED芯片和封装盖,所述LED芯片设有电极,所述封装盖设有内凹的型腔,
还包括金属反射层,所述LED芯片倒装于金属反射层的表面,并扣置于所述封装盖的型腔内,所述金属反射层的横截面尺寸大于型腔的横截面尺寸且小于封装盖的横截面尺寸,并于所述金属反射层的周边形成“口”字形凹槽,所述金属反射层于电极的正极和负极之间断开,形成“一”字形凹槽,“一”字形所述凹槽与“口”字形所述凹槽相通,形成旋转90度的“日”字形凹槽,隔断的所述金属反射层分别与电极的正极和负极连接,并在所述金属反射层的另一表面涂覆金属层,所述金属层的表面与凹槽内涂覆保护层,并形成保护层开口露出部分金属层。
进一步地,所述型腔内容纳至少一颗LED芯片。
进一步地,所述型腔的沿口的周壁设置若干个开放式沟槽,所述沟槽的深度不大于型腔的深度。
进一步地,所述沟槽的底部与水平面的夹角为α,α取值范围0~90°。
进一步地,还包括填充物,所述填充物填充型腔和沟槽。
进一步地,所述金属反射层的横截面尺寸大于型腔及沟槽延展的横截面尺寸且小于封装盖的横截面尺寸。
进一步地,所述金属层的厚度为3μm以上。
进一步地,所述金属层的厚度为10~15μm。
本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型的LED芯片的电极通过金属反射层与金属层直接连接,而金属反射层与金属层几乎覆盖整个封装盖的表面,有利于降低LED的结温,提升LED芯片的散热速度,提高封装结构的可靠性;
2、具有一定强度的玻璃或光学树脂形成的封装盖能更好的保护LED,而玻璃或光学树脂良好的出光性能有利于保证LED的出光率;
3、本实用新型的型腔内的硅胶等填充物可以提高LED芯片、封装盖与金属反射层之间的连接强度;若LED芯片为蓝色芯片,在填充物内加入均匀分布的荧光粉,可实现白光LED的封装结构;
4、本实用新型的圆片级LED的封装结构无硅基,又解决了散热问题,因此可以把芯片做的更薄、更小,更接近LED芯片的尺寸,应用在一些特殊的领域,同时还可降低封装成本。
附图说明
图1为本实用新型一种薄型圆片级LED的封装结构的示意图;
图2为图1的A-A剖视图;
图3为图2的B-B剖视图。
其中:
LED芯片100
电极110
封装盖200
型腔210
沟槽220
填充物300
金属反射层400
金属层500
凹槽600
保护层700
保护层开口710。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴长电先进封装有限公司,未经江阴长电先进封装有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320410671.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种硅基BGA的圆片级芯片封装结构
- 下一篇:一种硅基GaN外延生长结构