[实用新型]阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在平板显示领域中占据了主导地位。

LCD根据电场形式的不同可分为多种类型，其中，高级超维场转换（Advanced super Dimension Switch，简称ADS）模式的TFT-LCD具有宽视角、高开口率、高透过率等优点而被广泛的应用。ADS模式是平面电场宽视角核心技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。

发明人在实现本实用新型的过程中发现，由于受到工艺因素的制约，现有技术中的ADS型液晶面板的TFT的导电沟道的沟道长度较大，不仅减小了开态电流的大小，还间接制约了像素的开口率的提高，且通常采用经过七次掩膜工艺才能制得，制备的难度和成本较高，且良品率低。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及显示装置，本实用新型的阵列基板减小了薄膜晶体管单元的导电沟道的沟道长度，同时提高了像素的开口率。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

本实用新型的第一方面提供了一种阵列基板，包括：衬底基板及位于所述衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元，其中，

所述薄膜晶体管单元包括：位于所述衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层，与第一栅极同层设置的漏极，位于所述漏极之上的有源层，位于有源层之上的源极，所述衬底基板与同层设置的第一栅极及漏极之间设置有第一透明导电层，所述第一栅极及其下方的第一透明导电层与漏极及其下方的第一透明导电层之间设置有栅绝缘层。

所述薄膜晶体管单元上方设置有钝化层，所述钝化层上方设置有第二透明导电层，所述第一透明导电层至少有部分与第二透明导电层重叠。

所述的阵列基板还包括：位于所述衬底基板之上的多个阵列基板行驱动单元，其中，所述阵列基板行驱动单元包括：位于所述衬底基板之上的第三透明导电层，位于第三透明导电层之上的第二栅极，位于所述第二栅极之上的金属引线；所述第一栅极和第二栅极及漏极同层设置，所述金属引线与所述源极位于同一图层，所述第三透明导电层与第一透明导电层同层设置。

所述钝化层对应于金属引线的部分设置有开孔，所述第二透明导电层通过所述开孔与金属引线连接。

所述源极与数据线同层设置，所述第一栅极与栅线同层设置。

所述第二透明导电层为狭缝电极。

在本实用新型的技术方案中，提供了一种阵列基板，该阵列基板包括薄膜晶体管单元。该薄膜晶体管单元的第一栅极工作时，导电沟道的沟道长度即为有源层的厚度，只要通过减小有源层的厚度，就可以减小沟道长度，从而提高开态电流，同时保证像素的高开口率，提高显示装置的显示效果。

本实用新型的第二方面提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例中的阵列基板结构示意图一；

图2为本实用新型实施例中的阵列基板的制备方法的流程图一；

图3为本实用新型实施例中的阵列基板的制备方法的流程图二；

图4为本实用新型实施例中的阵列基板结构示意图二；

图5a～5c为本实用新型实施例中的阵列基板的制备过程的结构示意图；

图6为本实用新型实施例中的阵列基板的结构示意图二；

图7为本实用新型实施例中的阵列基板的结构示意图三；

图8为本实用新型实施例中的阵列基板的结构示意图四；

图9为本实用新型实施例中的阵列基板的结构示意图五。

附图标记说明：