[实用新型]阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201320398431.9 申请日: 2013-07-05
公开(公告)号: CN203324617U 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 李婧;张文余;张家祥 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L29/786;H01L29/10
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板及位于所述衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元,其中,

所述薄膜晶体管单元包括:位于所述衬底基板之上的第一栅极,位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层,与第一栅极同层设置的漏极,位于所述漏极之上的有源层,位于有源层之上的源极,所述衬底基板与同层设置的第一栅极及漏极之间设置有第一透明导电层,所述第一栅极及其下方的第一透明导电层与漏极及其下方的第一透明导电层之间设置有栅绝缘层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管单元上方设置有钝化层,所述钝化层上方设置有第二透明导电层,所述第一透明导电层至少有部分与第二透明导电层重叠。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述衬底基板之上的多个阵列基板行驱动单元,其中,所述阵列基板行驱动单元包括:位于所述衬底基板之上的第三透明导电层,位于第三透明导电层之上的第二栅极,位于所述第二栅极之上的金属引线;所述第一栅极和第二栅极及漏极同层设置,所述金属引线与所述源极位于同一图层,所述第三透明导电层与第一透明导电层同层设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层对应于金属引线的部分设置有开孔,所述第二透明导电层通过所述开孔与金属引线连接。

5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述源极与数据线同层设置,所述第一栅极与栅线同层设置。

6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二透明导电层为狭缝电极。

7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320398431.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top