[实用新型]一种裸眼3D功能面板的信号基板及显示设备有效
申请号: | 201320390721.9 | 申请日: | 2013-07-02 |
公开(公告)号: | CN203312295U | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 郭会斌;王守坤;刘晓伟;朱夏明;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;H01L21/77;H01L21/768 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 裸眼 功能 面板 信号 显示 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示器技术领域,尤其涉及一种裸眼3D功能面板的信号基板及一种显示设备。
背景技术
现有技术中制造裸眼3D功能面板的信号基板(3D barrier signal glass)的方法包括:
参见图1(a)和图1(b),在整个玻璃基板10上沉积信号线金属层,经过第一次涂胶、曝光、显影,在光刻胶层上形成第一块掩膜板(mask)上的图形,经过第一次刻蚀并去除光刻胶,形成信号线金属电极11,其中,信号线金属电极11为环形电极;
参见图2(a)和图2(b),在整个玻璃基板10上沉积钝化层(passivation)21,经过第二次涂胶、曝光、显影,在光刻胶层上形成第二块mask上的图形,经过第二次刻蚀刻蚀掉信号线金属层上方的钝化层,去除光刻胶,形成钝化层21,并在信号线金属电极11上形成方形的过孔22;
参见图3(a)和图3(b),在整个玻璃基板10上沉积透明导电层,一般透明导电层为氧化铟锡(ITO)层,经过第三次涂胶、曝光、显影,在光刻胶层上形成第三块mask上的图形,经过第三次刻蚀并去除光刻胶,形成间隔的ITO电极31,ITO电极31为条形电极,ITO条形电极31与信号线金属电极11通过方形的过孔22相连。
上述制造3D barrier signal glass的方法后,可保证环形的信号线金属电极11分别给条形的ITO透明导电电极31加电,满足3D barrier signal glass的设计要求。
综上所述,现有技术中制造3D barrier signal glass,采用信号线金属层、钝化层和ITO透明导电层三层结构,每层结构均需单独设计mask且需要进行三次光刻,工序较多,影响产品生产效率,提高生产成本。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种裸眼3D功能面板的信号基板以及一种显示设备,用以提高设备利用率和产品生产效率,降低生产成本。
本实用新型实施例提供的一种裸眼3D功能面板的信号基板,该信号基板包括:基板以及位于基板上的透明电极,位于透明电极层上的钝化层,以及钝化层上的信号线,其中,信号线通过钝化层上的过孔与透明电极相连。
本实用新型实施例提供的一种显示设备,该设备包括所述的裸眼3D功能面板的信号基板。
综上所述,本实用新型实施例提供的技术方案中,所述信号基板包括:基板以及位于基板上的透明电极,位于透明电极层上的钝化层,以及钝化层上的信号线,其中,信号线通过钝化层上的过孔与透明电极相连。本实用新型实施例提供的上述信号基板采用2次构图工艺制得,减少了mask制作成本,减少一次曝光工艺,缩短了工艺流程,提高了设备利用率和产品生产效率,降低生产成本。
附图说明
图1(a)和图1(b)分别为现有技术中制得的信号线金属电极的截面图与主视图;
图2(a)和图2(b)分别为现有技术中在图1的基础上制得的钝化层的截面图与主视图;
图3(a)和图3(b)分别为现有技术中在图2的基础上制得的ITO电极的截面图与主视图;
图4为本实用新型实施例中制造裸眼3D功能面板的信号基板的方法流程图;
图5(a)和图5(b)分别为本实用新型实施例中ITO层与钝化层沉积后的截面图与主视图;
图6(a)和图6(b)分别为本实用新型实施例中在图5的基础上涂抹光刻胶并采用半曝光掩膜板对光刻胶进行曝光和显影后得到的第一光刻胶层与第二光刻胶层的截面图与主视图;
图7(a)和图7(b)分别为本实用新型实施例中在图6的基础上刻蚀掉无光刻胶层覆盖的钝化层后的截面图与主视图;
图8(a)和图8(b)分别为本实用新型实施例中在图7的基础上去除掉第二光刻胶层后的截面图与主视图;
图9(a)和图9(b)分别为本实用新型实施例中在图8的基础上制得的ITO电极的截面图与主视图;
图10(a)和图10(b)分别为本实用新型实施例中在图9的基础上刻蚀掉原来被第二光刻胶层覆盖的钝化层后的截面图与主视图;
图11(a)和图11(b)分别为本实用新型实施例中在图10的基础上去除第一光刻胶层后并沉积信号线金属电极后的截面图与主视图;
图12(a)和图12(b)分别为本实用新型实施例中在图11的基础上在信号线金属电极上涂抹第三光刻胶层,并曝光与显影后的截面图与主视图;
图13(a)和图13(b)分别为本实用新型实施例中在图12的基础上制得的信号线金属电极的截面图与主视图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的