[实用新型]一种阵列基板以及显示装置有效
申请号: | 201320364697.1 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN203337968U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 赵海廷 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L23/544 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 以及 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型属于显示技术领域,涉及阵列基板以及显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞快发展,平板显示装置,尤其是液晶显示装置(TFT-LCD)已成为目前主流的显示产品。平板显示装置一般包括阵列基板(Array)、彩膜基板(CF)以及周边电路,阵列基板中包括多个薄膜晶体管(TFT),薄膜晶体管是平板显示装置中重要的控制器件。
如图1所示,阵列基板包括显示区1与非显示区2,显示区1包括多个像素单元,每个像素单元设置有薄膜晶体管,薄膜晶体管包括多个导电膜层与隔离多个导电膜层的绝缘膜层,像素单元还包括像素电极和/或公共电极,非显示区2设置有检测单元3(Test Pad),检测单元3与显示区1中需进行性能检测的器件的膜层连接,并可外接检测信号,以便对薄膜晶体管的电性性能进行检测,从而最终保证阵列基板的质量。
在液晶显示装置中,彩膜基板和阵列基板之间设置有液晶层,通过液晶分子在电场作用下的偏转来实现图像显示。为了控制液晶分子的初始角度,在彩膜基板和阵列基板的主要部分制备完成后,一般采用取向层涂覆工艺(PI coating)和摩擦工艺(Rubbing),分别在阵列基板和彩膜基板用于对盒的一面涂覆取向层,然后对取向层进行摩擦,使其形成具有一定方向性的沟痕,液晶分子的长轴将沿沟痕方向有规律地排列,摩擦产生的沟痕除了使液晶分子能够取向外,还要产生一定的倾斜度,以使液晶分子在排列时具有一定的倾斜角度。
但是,如前所述,在阵列基板中还设置有检测单元3,在现有技术中,检测单元3的形状为整块的正方形或者矩形,且具有较大的面积和一定的高度,这样就导致在阵列基板中,有检测单元3存在的区域高度大于其周边区域的高度,从而在阵列基板上形成断差。在摩擦工艺中,如图5所示,摩擦辊轮10在经过这些存在断差的地方,摩擦辊轮10上的摩擦布(Rubbing Cloth)会受到一定损伤,出现摩擦不均匀的现象,进而影响取向方向或倾斜角,产生摩擦工艺缺陷,例如:在显示面板与检测单元平行的方向上形成摩擦水纹11(Rubbing Mura)。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种阵列基板以及与显示装置,该阵列基板中的检测单元能有效地降低摩擦工艺缺陷的发生。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是该阵列基板,包括检测单元,所述检测单元包括检测端以及与所述检测端连接的检测线,所述检测端包括依次层叠的信号获取层、绝缘层与信号检测层,所述信号获取层开设有沟槽。
一种优选方案是,所述信号获取层中包括多个间隔排列的条形的信号端子的图形,靠近所述检测线一侧的所述信号端子互相连接后与所述检测线连接,相邻的条形的所述信号端子形成开口区域,所述开口区域对应的区域形成所述沟槽。
优选的是,多个条形的所述信号端子平行排列、且具有相同的长度和宽度,相邻的条形的所述信号端子之间的间隔距离相同。
优选的是,所述绝缘层在对应条形的所述信号端子的区域开设有过孔,所述信号获取层与所述信号检测层通过所述过孔电连接。
一种优选方案是,所述信号获取层中包括多个矩形排列的信号端子的图形,相邻的所述信号端子首尾连接,处于边沿的所述信号端子互相连接后与所述检测线连接,处于边沿的靠近所述检测线一侧的所述信号端子互相连接后与所述检测线连接,矩形排列的信号端子圈围形成开口区域,所述开口区域对应的区域形成所述沟槽。
优选的是,多个所述开口区域形成的沟槽具有相同的长度和宽度。
优选的是,所述绝缘层在对应着每一信号端子的区域开设有过孔,所述信号获取层与所述信号检测层通过所述过孔电连接。
其中,所述阵列基板还包括取向层,所述取向层中开设有沟痕,所述信号获取层中的所述沟槽的排列方向与所述沟痕的取向方向相同。
优选的是,所述检测线与待测对象连接,所述阵列基板还包括多条栅极和数据线,多条所述栅线和所述数据线将所述阵列基板划分为多个像素单元,每个所述像素单元包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极,所述像素单元还包括像素电极和/或公共电极,所述待测对象包括所述栅极、所述源极、所述漏极以及处于非表层的所述像素电极或所述公共电极中的任一个。
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