[实用新型]薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的显示设备

说明书

技术领域

本实用新型的方面涉及薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示设备。 

背景技术

诸如有机发光显示设备和液晶显示设备之类的显示设备可以包括薄膜晶体管（TFT）、电容器以及联接TFT和电容器的导线。 

显示设备可以通过在基板上形成TFT、电容器和导线的精细图案来制造，并且显示设备通过TFT、电容器和导线之间的复杂连接来操作。 

随着对紧凑和高分辨率显示器的需求增加，越来越期望显示设备中包含的TFT、电容器和导线之间的高效空间布置和连接结构。 

实用新型内容

本实用新型的一个或多个实施例包括具有高效的空间布置和连接结构的薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示设备。 

根据本实用新型的方面，提供一种薄膜晶体管（TFT）阵列基板，该薄膜晶体管（TFT）阵列基板包括：第一导电层，选自TFT的有源层、栅电极、源电极和漏电极；第二导电层，位于与所述第一导电层不同的层中；以及连接节点，将所述第一导电层联接至所述第二导电层。这里，所述TFT阵列基板具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔，所述第一接触孔位于所述第一导电层中，并且所述第二接触孔位于所述第二导电层中，所述第二接触孔是与所述第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与所述第一接触孔分离，并且所述连接节点的至少一部分位于所述节点接触孔中。 

所述连接节点可以位于与所述第一导电层和所述第二导电层不同的层中。 

所述第一导电层和所述第二导电层可以在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠。 

根据本实用新型的一个或多个实施例，所述绝缘层的边沿不位于所述第一接触孔和所述第二接触孔之间。 

所述第一导电层或所述第二导电层可以位于与所述有源层相同的层中。 

所述第一导电层或所述第二导电层可以包括与所述有源层相同的材料。 

所述绝缘层可以包括：第一绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及第二绝缘层，位于所述连接节点与所述第一导电层或所述第二导电层中较上面的导电层之间。所述第二绝缘层可以不位于所述第一导电层和所述第二导电层在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠的区域。 

根据本实用新型的另一实施例，一种显示设备包括：多个像素，每个像素包括联接至多条导线并且包括至少一个TFT和至少一个电容器的像素电路、以及联接至所述像素电路的显示器件；第一导电层，位于所述像素中并且选自TFT的有源层、栅电极、源电极和漏电极；第二导电层，位于所述像素中，与所述第一导电层部分重叠并且位于与所述第一导电层不同的层中；以及连接节点，联接所述第一导电层和所述第二导电层。这里，所述显示设备具有由第一接触孔和第二接触孔形成的节点接触孔，所述第一接触孔位于所述第一导电层中，并且所述第二接触孔位于所述第二导电层中，所述第二接触孔是与所述第一接触孔一体的并且不通过绝缘层与所述第一接触孔分离，并且所述连接节点的至少一部分位于所述节点接触孔中。 

所述连接节点可以位于与所述第一导电层和所述第二导电层不同的层中。 

所述第一导电层和所述第二导电层可以在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠。 

根据本实用新型的一个或多个实施例，所述绝缘层的边沿不位于所述第一接触孔和所述第二接触孔之间。 

所述第二导电层可以包括电容器的电极。 

所述第二导电层可以包括从所述多条导线延伸的层。 

所述连接节点可以位于与所述多条导线中向所述像素电路提供数据信号的数据导线相同的层上。 

所述第一导电层或所述第二导电层可以位于与所述有源层相同的层中。所述第一导电层或所述第二导电层可以包括与所述有源层相同的材料。所述第一导电层或所述第二导电层可以包括掺杂的多晶硅。 

所述绝缘层可以包括：第一绝缘层，位于所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及第二绝缘层，位于所述连接节点与所述第一导电层和所述第二导电层中较上面的导电层之间的第二绝缘层。所述第二绝缘层可以不位于所述第一导电层和所述第二导电层在所述节点接触孔所在的区域处部分重叠的区域。 

所述显示器件可以包括有机发光二极管（OLED），所述有机发光二极管（OLED） 包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层。 

在所述OLED和所述连接节点之间可以有平坦化层。