[实用新型]一种PECVD板式镀膜板框有效
申请号: | 201320291383.3 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN203270028U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 符昌京;聂文广 | 申请(专利权)人: | 海南英利新能源有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/513;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 570000 海南省海口市国*** | 国省代码: | 海南;66 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pecvd 板式 镀膜 | ||
技术领域
本实用新型涉及PECVD板式镀膜技术领域,尤其涉及一种PECVD板式镀膜板框。
背景技术
多晶硅太阳能电池工艺需要在电池片的制绒面上镀上一层氮化硅薄膜,这种薄膜可以有效地减少对太阳光的反射,增强电池片对太阳能能量的吸收,提高电池片效率。
PECVD的英文全称为Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,中文名称为等离子体增强化学气相沉积法,目前多晶硅电池片工业化镀膜采用的设备有板式镀膜设备与管式镀膜设备,其中板式镀膜设备又分为上镀膜和下镀膜两种工艺,而板式镀膜载板是此两种工艺比较常用的一种电池片镀膜承载的工具,但现在采用的镀膜载板在运行时间一段时间后,由于多余氮化硅等离子体的气流分布不均匀,导致PECVD板式镀膜板框搭载硅片镀膜时氮化硅过多地沉积在石墨条上,影响电池片边缘的镀膜效果,容易造成硅片的中间区域颜色与边缘区域的颜色差异较大,造成大量电池片镀膜后颜色外观不统一,增加下道工序的工作量,同时降低了电池片的外观等级。
因此,如何提供一种PECVD板式镀膜板框,以避免等离子体的过多沉积,是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种PECVD板式镀膜板框,以避免等离子体的过多沉积。
为了达到上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种PECVD板式镀膜板框,包括硅片框,所述硅片框的四个侧面均有石墨条,所述石墨条均设置有镂空图案。
优选的,上述镂空图案为多个。
优选的,上述镂空图案均匀分布。
优选的,每个所述石墨条上具有的镂空图案的形状均相同。
优选的,上述石墨条上具有实心支撑处。
优选的,上述实心支撑处位于相邻的两个石墨条的交叉处。
优选的,上述镂空图案中设置有金属固定支架。
本实用新型提供的PECVD板式镀膜板框,包括硅片框,所述硅片框的四个侧面均有石墨条,所述石墨条均设置有镂空图案。即在普通的PECVD板式镀膜板框的基础上特别地增加镂空图案,硅片框中设置有硅片,在与硅片相接触的四边石墨条上增加镂空图案,当PECVD板式镀膜板框搭载硅片在工艺腔镀膜时,硅片边缘的石墨条上的镂空图案可以很好地排泄多余氮化硅等离子体的气流,避免PECVD板式镀膜板框搭载硅片镀膜时氮化硅过多地沉积在石墨条上,不会影响电池片边缘的镀膜效果,并降低了硅片镀膜后的色差,提高电池片的外观等级,增加板框工作运行时间,降低车间生产成本,具有很高的使用价值。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的PECVD板式镀膜板框的结构示意图;
图2为现有技术中的PECVD板式镀膜板框的结构示意图。
上图1和图2中:
硅片框1、石墨条2、金属固定支架3、实心支撑处4、镂空图案5。
具体实施方式
本实用新型实施例提供了一种PECVD板式镀膜板框,以避免等离子体的过多沉积。
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参考图1,图1为本实用新型实施例提供的PECVD板式镀膜板框的结构示意图。
本实用新型实施例提供的PECVD板式镀膜板框,包括硅片框1,硅片框1的四个侧面均有石墨条2,石墨条2均设置有镂空图案5。即在普通的PECVD板式镀膜板框的基础上特别地增加镂空图案5,硅片框1中设置有硅片,在与硅片相接触的四边石墨条2上增加镂空图案5,当PECVD板式镀膜板框搭载硅片在工艺腔镀膜时,硅片边缘的石墨条2上的镂空图案5可以很好地排泄多余氮化硅等离子体的气流,避免PECVD板式镀膜板框搭载硅片镀膜时氮化硅过多地沉积在石墨条2上,不会影响电池片边缘的镀膜效果,并降低了硅片镀膜后的色差,提高电池片的外观等级,增加板框工作运行时间,降低车间生产成本,具有很高的使用价值。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的