[实用新型]一种绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括第一导电类型衬底（110），第一导电类型衬底（110）的第一主面内设有第二导电类型基区（120），第二导电类型基区（120）内设有第二导电类型深扩散区（130），第二导电类型基区（120）内设有带有横向电子通路单元第一导电类型发射区（140），所述第一导电类型发射区（140）包括两个第一单元（141）和两个第二单元（142），两个第一单元（141）各自与一个第二单元（142）横向相连，两横向设置的第二单元（142）形成横向电子通路单元；

第一导电类型发射区（140）的第一单元（141）分别设置在第二导电类型深扩散区（130）的两端，每个第一导电类型发射区（140）的第一主面上设有栅极绝缘层（160），栅极绝缘层（160）上设有多晶硅栅极层（170），多晶硅栅极层（170）上设有第二绝缘层（180），两组多晶硅栅极层（170）和第二绝缘层（180）的内侧设有绝缘侧壁（190），绝缘侧壁（190）下端设置在栅极绝缘层（160）上，第一导电类型衬底（110）的第二主面内设有第二导电类型集电区（150），所述两多晶硅栅极层（170）之间的区域为窗口区。

2.根据权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：还包括有正面金属和背面金属，正面金属同时接触第二导电类型基区（120）和第一导电类型发射区（140），构成器件的发射极，背面金属接触第二导电类型集电区（150），构成器件的集电极，多晶硅栅极层（170）连同连接它的金属构成器件栅极。

3.根据权利要求1所述的一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述每个第一单元（141）与两个第二单元（142）相连，每个第二单元（142）与两个第一单元（141）相连；

所述第一导电类型发射区（140）的两个第一单元（141）的相同端形成两个发射区区域，同一发射区的两第一单元（141）间边缘的距离为D1；每个发射区区域一部分被栅极绝缘层（160）及所述多晶硅栅极层（170）覆盖；

所述第一导电类型发射区（140）的两个第二单元（142）形成两个发射区区域，分别位于窗口区的两边，横向设置在两第一单元（141）之间，所述两个第二单元（142）的两个发射区之间边缘的距离为D2，所述的每个发射区区域一部分被栅极绝缘层及所述多晶硅覆盖，另一部分区域不被栅极绝缘层（160）及所述多晶硅栅极层（170）覆盖，且D2小于D1。

4.根据权利要求3所述的一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述D2为0时，所述第一导电类型发射区（140）的两个第二单元142（142）各自的发射区连通，所述的发射区区域贯穿整个窗口区，所述发射区区域两边被栅极绝缘层及所述多晶硅覆盖，中间区域不被栅极绝缘层及所述多晶硅覆盖。

5.根据权利要求3或4所述的一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型，所述第一导电类型衬底（110）为硅衬底，第一导电类型衬底（110）第一主面为正面，第二主面为背面，所述第一导电类型发射区（140）的扩散深度为0.2-0.5um，每个发射区宽度为0.4-1um之间。

6.根据权利要求5所述的一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述栅极绝缘层（160）为热氧化工艺形成的二氧化硅层，所述绝缘侧壁（190）的宽度小于第一导电类型发射区（140）的宽度，所述绝缘侧壁（190）的宽度为0.1-1um，高度为0.7-2um之间。

7.根据权利要求6所述的一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述多晶硅栅极层之间窗口区的宽度在2-20um之间，较优的条件为，多晶硅栅极层之间窗口区的宽度在3-5um之间。