[实用新型]绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管（50），包括半导体本体，其特征在于，包括： 

第一基区（54），具有第二导电类型； 

源区（55），具有不同于所述第二导电类型的第一导电类型并与所述第一基区（54）形成第一pn结； 

漂移区（53），具有不同于所述第二导电类型的第一导电类型并与所述第一基区（54）形成第二pn结； 

集电区（51），具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型； 

至少一个沟槽，其中，所述至少一个沟槽由栅电极（56）填充，并且其中，所述至少一个沟槽具有第一沟槽部（561）和第二沟槽部（562），所述第一沟槽部具有第一宽度，所述第二沟槽部具有第二宽度，所述第二宽度与所述第一宽度不同；以及 

场终止区（52），具有所述第一导电类型，并位于所述漂移区（53）和所述集电区（53）之间， 

其中，所述场终止区（22、32、52）包括具有所述第二导电类型的多个埋入区（52’’）。 

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其特征在于，所述至少一个埋入区（52’’）包括相对于彼此在所述绝缘栅双极型晶体管的横向排列的多个埋入局部p型区。 

3.根据权利要求1或2所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其特征在于， 

所述至少一个埋入区（52’’）包括具有覆盖几个单元节距的横向延伸的多个埋入局部p型区。 

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其特征在于，所述至少一个埋入区（52’’）与所述绝缘栅双极型晶体管的正面侧结构对准。 

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其特征在于，所述场终止区包括质子注入区。 

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其特征在于， 

所述集电区（51）包括： 

第一集电区域，具有第一掺杂浓度；以及 

第二集电区域，具有第二掺杂浓度， 

其中，所述第一集电区域与所述第二集电区域横向排列，并且所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度不同。 

7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其特征在于，所述场终止区（52）包括深能级第一导电类型掺杂区（52’）。 

8.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其特征在于，所述深能级第一导电类型掺杂区包括在导带边缘之下至少0.2eV的能级。 

9.根据权利要求7或8所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其特征在于，所述深能级第一导电类型掺杂区（52’）包括在硅的能带间隙中具有深能级的至少一种原子。 

10.根据权利要求9所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其中，硅的能带间隙中的所述深能级为在硅的最接近能带边缘之下至少0.2eV。 

11.根据权利要求9所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其特征在于，所述至少一种原子包括来自硒和硫中的至少一种。 

12.根据权利要求8所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其特征在于，所述至少一种原子的浓度为1.E+16cm^-3以上。 

13.根据权利要求8所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其特征在于， 

所述深能级第一导电类型掺杂区（52’）包括： 

第一区域，具有第一深能级原子掺杂浓度；以及 

第二区域，比所述第一区域更靠近所述集电区（51）与所述场终止区（52）之间的第三pn结，并具有第二深能级原子掺杂浓度， 

其中，所述第二深能级原子掺杂浓度大于所述第一深能级原子掺杂浓度。 

14.根据权利要求9所述的绝缘栅双极型晶体管（50），其特征在于， 

所述深能级第一导电类型掺杂区（52’）包括： 

第一区域，具有第一深能级原子掺杂浓度；以及 

第二区域，比所述第一区域更靠近所述集电区（51）与所述场终止区（52）之间的第三pn结，并具有第二深能级原子掺杂浓度， 

其中，所述第二深能级原子掺杂浓度大于所述第一深能级原子掺杂浓度。